电极真空镀膜MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
2.3.2速度
另一个变量是速度。对于单端镀膜机，镀膜区的传动速度可以在每分钟0~600英寸大约为0 ~ 15.24米)之间选择。对于双端镀膜机，镀膜区的传动速度可以在每分钟0~ 200英寸(大约为0~ 5.08米)之间选择。在给定的溅射速率下，电极真空镀膜价钱，传动速度越低则表示沉积的膜层越厚。
2.3.3气体
后一个变量是气体。可以在三种气体中选择两种作为主气体和辅气体来进行使用。它们之间，任何两种的比率也可以进行调节。气体压强可以在1 ~ 5X 10-3torr之间进行控制。
2.3.4阴极/基片之间的关系
在曲面玻璃镀膜机中，还有一个可以调节的参数就是阴极与基片之间的距离。平板玻璃镀膜机中没有可以调节的阴极。
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先来介绍一下，什么是磁控溅射镀膜机？百度百科上，关于磁控溅射镀膜机是这样解释的：磁控溅射镀膜机是一种用于材料科学领域的工艺试验仪器，是一种普适镀膜机，目前主要用于实验室制备有机光电器件的金属电极及介电层，电极真空镀膜加工厂商，以及制备用于生长纳米材料的催化剂薄膜层。
这还要从这种机器的系统组成说起，磁控溅射镀膜机内部系统主要是由：真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
除此之外，标准的磁控溅射镀膜机，它的技术指标也是有一个固定值的，就像是磁控溅射镀膜机的真空部分，包括真空室系统溅射室、真空抽气及测量系统，对于这两部分来说，它们的极限真空度应该为：6.7×10-5Pa，湖北电极真空镀膜，系统漏率：1×10-7PaL/S。***真空的时间应该在：40分钟可达6.6×10 Pa（短时间暴露大气并充干燥氮气后开始抽气）。
不仅如此，除了技术指标之外，这些设备的尺寸指标也是有合格标准的。真空室的标准大小应该处于：圆形真空室，电极真空镀膜外协，尺寸550× 450mm。样品台的标准尺寸应该是：尺寸为直径350mmX280mm，滚筒结构。包括磁控靶：有效溅射区为3英寸×3英寸，数量：4支，标准型永磁靶，1支，标准型强磁靶，钎焊间接水冷结构；靶直径Φ60㎜，靶内水冷。靶基距为50～90mm连续可调（手动），并有调位距离指示。
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上面关于磁控溅射镀膜机的设备尺寸以及应用场景已经介绍完成了，那么这种设备在镀膜的时候应该是如何操作的呢？具体操作方法如下：
（1）在操作的时候，样品基片的压力值保持处于：负偏压 -200V。
（2）样品转盘：在基片转盘上有滚筒式样品架，其中两个工位开孔安装加热炉。
样品除了公转外，在镀膜位置实现双平方向X轴移动。基片的温度从室温至300℃（样品上表面的温度，只需标定一次即可）连续可调可控，但两个加热器需保持不同时工作，每次只有一个工作（一台加热控温电源），在真空下可轮流互换工作。样品转盘由步进电机驱动，计算机控制其公转到位及样品自转；
（3）气路系统：质量流量控制器2路
（4）石英晶振膜厚控制仪的测量范围：0-999999，抽干空气可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统
（5）计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位镀膜。
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