湿法刻蚀机台，适用于半导体湿法刻蚀工艺，包括:支撑结构，支撑结构提供一支撑面用以支撑待刻蚀的晶圆;待刻蚀的晶圆与支撑面之间预设一预定距离，支撑面朝向待刻蚀的晶圆的一面均布有多个气体喷嘴;控温加热装置，显影腐蚀台，连接边缘的气体喷嘴的气体管路，武汉显影，以加热气体管路内的保护气体;喷嘴装置，设置于支撑面的上方，显影腐蚀机，喷嘴装置包括一喷嘴与一液体输送管，喷嘴设置于朝向支撑面的一面，液体输送管连接喷嘴背向支撑面的一端。
蚀刻后必须除去丝印油墨。一般的耐酸油墨易溶于碱中。将蚀刻板浸入40～60g／L的溶液中，温度50～80℃，浸渍数分钟即可退去油墨。退除后，如果要求光亮度高，可进行抛光，显影清洗机，然后进行染色，染色后为了防止变色及增加耐磨、耐蚀性，可以喷涂透明光漆。 对于一些金属本身是耐蚀性能好而且不染色的，也可以不涂透明漆，要根据实际需要而定。
芯片线宽的缩小对刻蚀本身的准确度以及重复性有了更为严苛的要求。多次刻蚀要求每一个步骤的准确度足够高，才能使得整体生产的良率保持在可接受范围内，因此除了对于刻蚀整体步骤数有明显增加外，还对每一步的刻蚀质量有了更高的要求。端制程占比持续提升的大背景下，晶圆厂对于刻蚀本身的资本开支也在大幅提升，在整体制造工艺未发生较大变化的情况下，晶圆代工厂中刻蚀设备的占比将持续提升。
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