刻蚀工艺是半导体制造工艺中的关键步骤，对于器件的电学性能十分重要。其利用化 学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，目标是在涂胶的硅片上正确地 掩模图形。如果刻蚀过程中出现失误，将造成难以***的硅片报废，晶圆清洗机，因此必须进行严格 的工艺流程控制。
化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，淮安晶圆，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用。
学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，晶圆酸洗机，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
驱动半导体封装形式不断发展的动力是其价格和性能。电子市场的客户可分为3类：家庭用户、工业用户和***用户。家庭用户的特点是价格便宜而性能要求不高；***用户要求性能而价格通常是普通用户的几十倍甚至几千倍，晶圆清洗，主要用在航天等方面；工业用户通常是价格和性能都介于以上两者之间。要求在原有的基础上降低成本，这样材料用得越少越好，一次性产出越大越好。要求产品寿命长，能耐高低温及高湿度等恶劣环境。半导体生产厂家时时刻刻都想方设法降低成本，当然也有其它的因素如环保要求迫使他们改变封装型式。
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