硅表面疏水性处理微观机理与亲水性处理机理相似，硅表面成为疏性的基本条件为B=A=r（SL）- r（SG）＞0
硅片表面必须由高能转化为低能表面。从上式可以看出:完成上述转化的条件为或者使 r（SG）下降，或者r（SL）上升。方法还是改变其表面结构，上海亲水处理，使 r（SG）减小。硅片经过特殊清洗液洗时，表面形成的自然氧化膜腐蚀掉，Si几乎不被腐蚀。硅片外层的Si儿乎以H键为终端结构，表面呈疏水性。
亲水性（hydrophilic），对水具有亲合力的性能。如·：金属版材如铬、铝、锌及其生成的氢氧化物以及具有毛细现象的物质都有良好的亲水效果。在有机物中表现为羟基和羧基等的亲水性，即它们使该有机物易溶于水。 疏水性（hydrophobic），对水具有排斥能力的性能。如：印版图文的亲油成分和印刷油墨都具有良好的疏水性。在有机物中表现为和苯环等的疏水性，即它们使该有机物难溶于水。
超疏水表面材料具有防水、防污、可减少流体的粘滞等优良特性，是目前功能材料研究的热点之一一。超疏水性物质，具有极难被水沾湿的表面，实验亲水处理，其水在其表面的接触角超过150°，滑动角小于20°。超疏水表面一般可以通过两类技术路线来制备:--类是在低表面能的疏水材料表面上构建微米纳米级粗糙结构;另外一类是用低表面能物质在微米-纳米级粗糙结构上进行修饰处理。从制备方法来说，主要有蒸汽诱导相分离法、模板印刷法、电纺法、溶胶-凝胶法、模板挤压法、激光和等离子体刻蚀法、拉伸法、腐蚀法以及其他方法。
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