江苏PECVD真空镀膜-半导体测试-PECVD真空镀膜平台

PECVD真空镀膜MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，PECVD真空镀膜服务，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，PECVD真空镀膜平台，以及行业应用技术开发。

在对纯度为99.9%的铜溅射靶材的研究中，发现在制备Cu靶材时不可避免地会引入硫和铅。微量S的加入可以防止热加工时晶粒尺寸变大和微裂纹产生使表面粗糙。但是，当S的含量高于18ppm时，会再次出现微裂纹。随着S和Pb含量的增加，裂纹数量和电弧放电次数增加。因此，应尽量减少靶材中的杂质含量。减少溅射薄膜的污染源，提高薄膜的均匀性。

溅射靶材制备工艺条件的控制

对于热导率较差的靶材，例如***溅射靶材，往往会因为靶材中的杂质而阻碍热传递。生产中使用的冷却水温度与镀膜线实际水温存在差异，导致使用过程中靶材开裂。一般来说，轻微的裂纹不会对镀膜生产产生很大的影响。但当靶材有明显裂纹时，电荷很容易集中在裂纹边缘，导致靶材表面异常放电。放电会导致落渣、成膜异常、产品报废增加。因此，在靶材制备和控制纯度的过程中，还要控制制备工艺条件。

欢迎来电咨询半导体研究所哟~PECVD真空镀膜

PECVD真空镀膜MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，PECVD真空镀膜技术，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

由工作气压与沉积率的关系表可以看出:在其他参数不变的条件下，随着工气压的增大，沉积速增大后减小。在某一个佳工作气压下，有一个对应的大沉积速率。

3.5.1试验结果分析

气体分子平均自由程与压强有如下关系

其中为气体分子平均自由程，k为玻耳兹曼常数，T为气体温度，d为气体分子直径，p为气体压强。由此可知，在保持气体分子直径和气体温度不变的条件下，如果工作压强增大，则气体分子平均自由程将减小，溅射原子与气体分子相互碰撞次数将增加，二次电子发射将增强。

欢迎来电咨询半导体研究所哟~PECVD真空镀膜

PECVD真空镀膜MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

溅射靶材均匀性对大面积镀膜的影响

对于合金溅射靶材来说，往往存在材料分布不均的情况。如***靶材中铝团聚，锌铝靶材中铝偏析（铝的原子质量比锌的原子质量65少27。铝在浇注后冷却过程中会上浮，导致铝含量一侧高另一侧低）。由于熔点低，***靶中的团聚铝在溅射成膜时很容易掉渣，而在喷涂过程中加入的铝量是一定的。一部分铝团聚表明其他位置的铝含量较少，影响了硅靶的热导率和电导率。所以溅射速率不一致，江苏PECVD真空镀膜，成膜均匀性差，靶材，靶材放电加剧。它还降低了成膜质量。靶材成分的偏析会影响溅射速率（薄膜均匀性）和薄膜成分。因此，除了控制靶材的纯度外，合金靶材的分布也很关键。

欢迎来电咨询半导体研究所哟~PECVD真空镀膜