清洗的注意事项：
(1) 设备运行时，腔体内必须放卡塞，否则由于平衡***造成设备损坏或精度降低；
(2)晶片必须均匀放置在卡塞内，尽量保证首尾重力平衡；
(3)卡塞放置在腔体内时，商丘显影，片子正面应朝向观察窗一侧；
(4)设备运行中不得试图打开密封门盖，否则会造***体伤害或机器损坏。
苏州晶淼半导体设备有限公司致力于向客户提供湿法制程刻蚀设备、清洗设备、pp/pvc通风柜/厨、cds***集中供液系统解决方案。我们的每台设备除标准化制作外，还可根据客户的工艺需求和工作环境的具体要求，对设备进行人性化、个性化设计，极大限度的将客户的想法转化为实际应用。能完全满足规模化生产和研发需求。
半导体清洗机湿式清洗制程中，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学***与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，显影设备，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。
苏州晶淼半导体设备有限公司致力于向客户提供湿法制程刻蚀设备、清洗设pp/pvc通风柜/厨、cds***集中供液系统解决方案。我们的产品广泛应用与微电子、半导体、光伏、光通信、led等行业及高等院校、研究所等等科技领域的生产和研发。
清洗流程的操作规范：
(1) 用(ACE)、异bing醇(IPA)、去离子(DI)水依次进行超声清洗超声设备内槽、烧杯、花篮、卡塞及样品盒；
(2) 在二个超声设备的内槽分布倒入 2000 - 4000 ml的和异bing醇溶液，具体的溶液体积由内槽的容积来定，保证溶液水平面在花篮上平面以上；在一个烧杯中倒入2000 ml溶液；记录溶液更换日期，按每2000 ml溶液清洗250片晶片的要求规划溶液的清洗次数；
(3) 将晶片用花篮盛放并将其置于内槽中，设置超声的温度60°C，并计时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，显影腐蚀机，并记录溶液累计使用片数；
(4) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；
(5) 将花篮置于异bing醇中，设置溶液温度60°C，记时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，记录溶液累计使用片数； (5) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；
(6) 将放有晶片的花篮置于已配制好的***(共1200 ml，H2SO4 : H2O2 =3:1)溶液中，计时10分钟，并记录溶液使用累计片数；保持溶液的温度为90°C。如果溶液不是新配溶液，需向溶液中按溶液的1/3加入溶液；
(7) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；
(8) 将晶片从花篮中取出，显影清洗，放置到te制的卡塞中，将放有晶片的卡塞置于兆声波设备内槽中，在60°C兆声清洗10分钟；
(9) 将放有晶片的卡塞取出冲水10分钟；
(10) 将放有晶片的卡塞放入甩干机中，烘干。
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