真空镀膜加工平台MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
磁场
用来捕获二 次电子的磁场必须在整个靶面上保持一致， 而且磁场强度应当合适。磁场不均匀就会产生不均匀的膜层。磁场强度如果不适当(比如过低)，那么即使磁场强度一致也会导致膜层沉积速率低下，而且可能在螺栓头处发生溅射。这就会使膜层受到污染。如果磁场强度过高，可能在开始的时候沉积速率会非常高，但是由于刻蚀区的关系，这个速率会迅速下降到一个非常低的水平。同样，这个刻蚀区也会造成靶的利用率比较低。
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先来介绍一下，什么是磁控溅射镀膜机？百度百科上，关于磁控溅射镀膜机是这样解释的：磁控溅射镀膜机是一种用于材料科学领域的工艺试验仪器，是一种普适镀膜机，湖北真空镀膜加工平台，目前主要用于实验室制备有机光电器件的金属电极及介电层，以及制备用于生长纳米材料的催化剂薄膜层。
这还要从这种机器的系统组成说起，磁控溅射镀膜机内部系统主要是由：真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
除此之外，标准的磁控溅射镀膜机，它的技术指标也是有一个固定值的，就像是磁控溅射镀膜机的真空部分，包括真空室系统溅射室、真空抽气及测量系统，对于这两部分来说，它们的极限真空度应该为：6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S。***真空的时间应该在：40分钟可达6.6×10 Pa（短时间暴露大气并充干燥氮气后开始抽气）。
不仅如此，除了技术指标之外，这些设备的尺寸指标也是有合格标准的。真空室的标准大小应该处于：圆形真空室，尺寸550× 450mm。样品台的标准尺寸应该是：尺寸为直径350mmX280mm，滚筒结构。包括磁控靶：有效溅射区为3英寸×3英寸，数量：4支，标准型永磁靶，1支，氧化硅真空镀膜加工平台，标准型强磁靶，钎焊间接水冷结构；靶直径Φ60㎜，靶内水冷。靶基距为50～90mm连续可调（手动），并有调位距离指示。
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系统参数
工艺会受到很多参数的影响。其中，一些是可以在工艺运行期间改变和控制的;而另外一些则虽然是固定的，但是一般在工艺运行前可以在一定范围内进行控制。两个重要的固定参数是:靶结构和磁场。
2.2.1靶结构
每个单独的靶都具有其自身的内部结构和颗粒方向。由于内部结构的不同，两个看起来完全相同的靶材可能会出现迥然不同的溅射速率。在镀膜操作中，如果采用了新的或不同的靶，应当特别注意这一点。如果所有的靶材块在加工期间具有相似的结构，调节电源，根据需要提高或降低功率可以对它进行补偿。在一套 靶中，由于颗粒结构不同，也会产生不同的溅射速率。加工过程会造成靶材内部结构的差异，所以即使是相同合金成分的靶材也会存在溅射速率的差异。
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