RCA清洗法 ：
人们使用的清洗方法没有可依据的标准和系统化。1965年， RCA（美国无线电公司）研发了用于硅晶圆清洗的RCA清洗法，并将其应用于 RCA元件制作上。该清洗法成为以后多种前后道清洗工艺流程的基础，以后大多数工厂中使用的清洗工艺基本是基于初期的RCA清洗法。
苏州晶淼半导体设备有限公司致力于向客户提供湿法制程刻蚀设备、清洗设备、pp/pvc通风柜/厨、cds***集中供液系统解决方案。我们的产品广泛应用与微电子、半导体、光伏、光通信、led等行业及高等院校、研究所等等科技领域的生产和研发。
在清洗工艺中，去除刻蚀后的光刻胶残渣是半导体行业的一大技术难点，尤其是经过高浓度离子注入的光刻胶，注入的阳离子和光刻胶中的碳形成很强的化学键，使光刻胶表面高度交联，形成一层高度致密、耐腐蚀的碳化硬壳，大大增加了光刻胶的去除难度。
苏州晶淼半导体设备有限公司坚信 天道酬勤，商道酬信！精良的产品质量是我们的根本，超客户预期是我们的自我需求，真诚守信是我们的原则，我们的目标是提升中国湿制程设备制造水平和服务！
氨水加氧化剂清洗液
氨水加氧化剂清洗液配方为: NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20,温度为25~40℃,时间10~30min。由于这种清洗液具有碱性、氧化性和络合性,可以发生氧化反应、产生微蚀刻作用,以达到去除表面颗粒的目的,可以去除一些有机污染物及部分***离子污染物。
超级电容电池和锂电池在环境温度较高连续使用条件下出现高温、充电不足、爆裂的现象，与超级电容单体制造过程中采用的材料纯度、设备及工艺有非常直接的因果关联。
传统的真空干燥方法是真空干燥后又将超级电容单体暴露在大气环境，水气再次进入超级电容单体内，从而导致超级电容性能及技术指标低下。
全自动超级电容真空干燥系统在各单个制备工序以及在从一道工序转移到下一道工序的过程中完全实现高真空环境；有效排除超级电容CELL内部水、气、杂质的影响；从而提高功率密度，降低内阻，改善高频特性；极大地提升了超级电容单体和模组的一致性及使用寿命等技术参数，同时生产效率数倍提高。
