




多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面,多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料冶金级硅的提炼并不难。
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切片:将单晶硅棒切成具备切确多少尺寸的厚硅片。此进程外发作的硅粉采取水淋,发作兴水以及硅渣。
退火:单工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至硅片皮相以及氧气发作回响反映,使硅片皮相造成二氧化硅保护层。
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按单晶生长方法划分:直拉法制各的单晶硅,回收多晶硅料,称为CZ硅(片);磁控直拉法制各的单晶硅,称为MCZ硅(片);悬浮区熔法制各的单晶硅,称为FZ硅(片);用外延法在单晶硅或其他单晶衬底上生长硅外延层,称为外延(硅片)。
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