我国在上世纪60年代自行研制和生产了首台计算机，其占用面积大约为100 m2以上，现在的便携式计算机只有书包大小，而将来的计算机可能只与钢笔一样大小或更小。计算机体积的这种迅速缩小而其功能越来越强大就是半导体科技发展的一个很好的佐证，其功劳主要归结于：(1)半导体芯片集成度的大幅度提高和晶圆制造(Wafer fabrication)中光刻精度的提高，使得芯片的功能日益强大而尺寸反而更小；(2)半导体封装技术的提高从而大大地提高了印刷线路板上集成电路的密集度，使得电子产品的体积大幅度地降低。
反应离子刻蚀原理是将通入刻蚀室的工艺气体分子解离，产生等离子体。一方面由等离子体中的部分活性基团与被刻蚀材料表面发生化学反应，另一方面由于射频自偏压作用，等离子体中的正离子对被刻蚀材料，表面进行物理轰击，从而以物理化学相结合的方法达到材料表面刻蚀的目的。
清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
湿法刻蚀：用液体化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使用，在 3um 以后由于线宽控 制、刻蚀方向性的局限，主要用干法刻蚀。目前，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和 残留物的清洗。干法刻蚀：常用等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，有机去胶台，即把衬底暴露于气态中产生的等离 子，有机清洗机，与暴露的表面材料发生物理反应、化学反应。
清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，有机去胶设备，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，有机，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
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