微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，山西紫外光刻工艺，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，紫外光刻工艺委托加工，以及行业应用技术开发。
光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。
光刻（Photolithography)是一种图形转移的方法，在微纳加工当中不可或缺的技术。光刻是一个比较大的概念，其实它是有多步工序所组成的。
1.清洗：清洗衬底表面的有机物。
2.旋涂：将光刻胶旋涂在衬底表面。
3.***。将光刻版与衬底对准，在紫外光下***一定的时间。
4.显影：将***后的衬底在显影液下显影一定的时间，受过紫外线***的地方会溶解在显影液当中。
5.后烘。将显影后的衬底放置热板上后烘，以增强光刻胶与衬底之前的粘附力。
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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，紫外光刻工艺厂商，以及行业应用技术开发。
边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。接触式***和非接触式***的区别，紫外光刻工艺代工，在于***时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。接触式光刻***时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。随着***加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光***后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。
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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
边缘的光刻胶一般涂布不均匀，产生边缘效应，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离而影响其它部分的图形。
常用的光刻胶主要是两种，正性光刻胶（itive photoresist）被***的部分会被显影剂清除，负性光刻胶(negative photoresist)未被***的部分会被显影剂清除。正性光刻胶主要应用于腐蚀和刻蚀工艺，而负胶工艺主要应用于剥离工艺（lift-off）。
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