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MEMS微纳加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，青海EBL微纳加工，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，EBL微纳加工价格，以及行业应用技术开发。

微纳加工的特点就是在微观领域中进行的加工技术。相对于传统的机械加工，MEMS工艺的尺寸更小，更微观，有些仅仅为几个做米，其厚度就更加微小。它们采用以硅Si为主的材料，采用与集成电路(C)类似的生成技术，可大量利用IC生产中的成熟技术、工艺，进行大批量、低成本生产，使相对于传统“机械”制造技术大幅度提高。

完整的MEMS是由微传感器、微执行器、信号处理和控制电路、通讯接口和电源等部件组成的一体化的微型器件系统。其主要目的是把信息的获取、处理和执行集中在一起，组成具有多功能的微型系统，集成于大尺寸系统中，从而提高自动化和智能化的水平。

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按照微纳制品的空间结构形式可以分为一维、二维和三维微纳制造。

通过光刻技术制作出的微纳结构需进一步通过刻蚀或者镀膜，才可获得所需的结构或元件。刻蚀技术，是按照掩模图形对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术，可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀较普遍、也是设备成本较低的刻蚀方法。大部份的湿刻蚀液均是各向同性的，EBL微纳加工委托加工，换言之，对刻蚀接触点之任何方向腐蚀速度并无明显差异。然而自1970年代起，报道了许多有关碱性或有机溶液腐蚀单晶硅的文章，其特点是不同的硅晶面腐蚀速率相差极大，尤其是方向，足足比或是方向的腐蚀速率小一到两个数量级！因此，腐蚀速率较慢的晶面，往往便是腐蚀后留下的特定面。干法刻蚀利用等离子体来进行半导体薄膜材料的刻蚀加工。其中等离子体必须在真空度约10至0.001Torr的环境下，才有可能被激发出来；而干刻蚀采用的气体，或轰击质量颇巨，或化学活性极高，均能达成刻蚀的目的。其较重要的优点是能兼顾边缘侧向侵蚀现象极微与高刻蚀率两种优点。干法刻蚀能够满足亚微米/纳米线宽制程技术的要求，且在微纳加工技术中被大量使用。

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微纳制造技术研发和应用标志着人类可以在微、纳米尺度认识和改造世界。

随着聚合物精密挤出成型技术和现代纳米技术的发展，聚合物制品逐渐向微型化发展，传统挤出成型也朝着微型化发展，出现了微挤出成型技术。如今，微挤出成型技术常应用于纳米介入导管、微型光纤和微细齿轮等的制备。在聚合物熔体微挤出成型的过程中，机头流道结构直接影响到熔体流动的流场分布与稳定性。不合理的机头结构参数，将导致制品尺寸误差、形状误差和机械性能不足等问题的出现，出现诸如壁厚不均、开裂、蜜鱼皮和翘曲等缺陷。国内外学者对基于微尺度条件下的聚合物流动行为进行了大量有意义的尝试和研究，主要研究内容包括微细流道聚合物溶体流动、表面张力、壁面滑移现象、微挤出机头设计等。为更深入、系统的微挤出成型研究奠定了理论基础。

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