硅片清洗台-扬州硅片-晶淼半导体(查看)

刻蚀工艺顺序位于镀膜和光刻之后。简单来说，刻蚀机的作用就好像是雕刻中的刻刀一样，利用光学-化学反应原理和化学、物理等刻蚀方法，将晶圆表面附着的不必要的材质进行去除，留下的就是晶圆所需要的材质和附着在其上的光刻胶。然后再多次重复上述步骤，就可得到构造复杂的集成电路。

化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

关于低温等离子安全（安全）的注意事项： 1.低温等离子表面处理设备属于高压设备，离子刻蚀设备没有知识的任何人不得打开机箱进行设备维护。 2. 未经厂家技术人员指导，不得随意拆卸喷头和主机。 3. 主机地线必须与（地）地线牢固连接。 4、供给设备的气源水必须经过清洁过滤。

规格通用功能是指封装的尺寸、形状、引脚数量、间距、长度等有标准规格，既便于加工，又便于与印刷电路板相配合，相关的生产线及生产设备都具有通用性。

干法刻蚀有化学反应、物理去除以及化学物理混合去除三种方式，性能各有优劣。其中，物理性 刻蚀，又称离子束溅射刻蚀，硅片腐蚀，原理是使带能粒子在强电场下加速，硅片酸洗，这些带能粒子通过溅射刻蚀作 用去除未被保护的硅片表面材料，硅片清洗台，化学性刻蚀，又称等离子体刻蚀，扬州硅片，纯化学刻蚀作用中，通过等 离子体产生的自由基和反应原子与硅片表面的物质发生化学反应达到刻蚀的效果，可以得到较好 的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率。