ITO镀膜真空镀膜外协-半导体光刻-云南ITO镀膜真空镀膜

ITO镀膜真空镀膜MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

在对纯度为99.9%的铜溅射靶材的研究中，ITO镀膜真空镀膜加工平台，发现在制备Cu靶材时不可避免地会引入硫和铅。微量S的加入可以防止热加工时晶粒尺寸变大和微裂纹产生使表面粗糙。但是，当S的含量高于18ppm时，会再次出现微裂纹。随着S和Pb含量的增加，裂纹数量和电弧放电次数增加。因此，应尽量减少靶材中的杂质含量。减少溅射薄膜的污染源，云南ITO镀膜真空镀膜，提高薄膜的均匀性。

溅射靶材制备工艺条件的控制

对于热导率较差的靶材，例如***溅射靶材，往往会因为靶材中的杂质而阻碍热传递。生产中使用的冷却水温度与镀膜线实际水温存在差异，导致使用过程中靶材开裂。一般来说，轻微的裂纹不会对镀膜生产产生很大的影响。但当靶材有明显裂纹时，电荷很容易集中在裂纹边缘，导致靶材表面异常放电。放电会导致落渣、成膜异常、产品报废增加。因此，在靶材制备和控制纯度的过程中，还要控制制备工艺条件。

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而当工作气压过大时，沉积速率会减小，原因有如下两点:

(1)由于气体分子平均自由程减小，溅射原子的背反射和受气体分子散射的几率增大，而且这一影响已经超过了放电增强的影响。溅射原子经多次碰撞后会有部分逃离沉积区域，基片对溅射原子的收集效率就会减小，从而导致了沉积速率的降低。

(2) 随着Ar气分子的增多，溅射原子与Ar气分子的碰撞次数大量增加，这导致溅射原子能量在碰撞过程中大大损失，致使粒子到达基片的数量减少，沉积速率下降。

3.6结论

通过试验，及对结果的分析可以得出如下结论:在其他参数不变的条件下，随着工作气压的增大，沉积增大后减小。在某一个工作气压下，有一个对应的大沉积率。

虽然以上工作气压与沉积率的关系规律只是在纯铜靶材和陶瓷基片上得到的，但对其他不

同靶材与基片的镀膜工艺研究也具有一定的参考价值。

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由工作气压与沉积率的关系表可以看出:在其他参数不变的条件下，随着工气压的增大，沉积速增大后减小。在某一个佳工作气压下，有一个对应的大沉积速率。

3.5.1试验结果分析

气体分子平均自由程与压强有如下关系

其中为气体分子平均自由程，k为玻耳兹曼常数，ITO镀膜真空镀膜多少钱，T为气体温度，d为气体分子直径，p为气体压强。由此可知，在保持气体分子直径和气体温度不变的条件下，如果工作压强增大，则气体分子平均自由程将减小，溅射原子与气体分子相互碰撞次数将增加，二次电子发射将增强。

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