以NiO，Fe2O3，Ag粉和微量V2O5为原料，用粉末冶金法制备掺杂V2O5的镍铁尖晶石金属陶瓷惰性阳极，***生产厂家，研究V2O5对惰性阳极材料微观形貌和电导率的影响。结果表明:添加V2O5后，V2O5与Fe2O3和NiO形成低熔点的化合物Ni2FeVO6，该物质在烧结过程中呈液相。液相的出现使金属银在陶瓷相中呈细长的线状分布。能谱分析发现:金属相中含有陶瓷相的组成，说明金属相与陶瓷相间的润湿性有所改善。同时，样品的电导率显著提高。当添加2.0%(以质量计)V2O5时，样品的电导率约为无添加剂的Ag/NiFe2O4金属陶瓷样品的7倍，这主要是因为V2O5在烧结过程中形成液相，改善金属相与陶瓷相间的界面相容性，从而改变金属相在陶瓷相中的分布状况。掺杂后，样品的电导率在450～650℃之间发生突变，呈现急剧上升，这可能是由于添加剂诱发NiFe2O4的磁性发生变化，从而导致电导率发生突变。
***纳米带和纳米板的区别
分别以***为钒源、为溶剂和以偏钒酸铵为钒源、稀***为溶剂，通过低温水热法合成了***纳米带和纳米板。并利用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)和场发射扫描电镜(SEM)对产物进行表征。结果表明，反应产物均为正交的***晶型，纳米带宽度100～300 nm，厚度约100 nm左右，纳米板形状规则，分布较为均匀，厚度在纳米级别。
铜掺杂***的制备及电化学性质采用沉淀法于300和600℃制备了结晶状的Cu0.04V2O5材料.扫描电镜显示，300℃时制备的样品具有多孔特征，而600℃时制备的样品具有很高的结晶度.X射线研究表明，偏钒酸铵***，少量铜掺杂不会改变V2O5的正交晶体结构.红外光谱研究表明，300℃时制备的Cu0.04V2O5样品含有少量水.热失重分析确定了样品中所含水分是以吸附水的形式存在，1mol材料分子吸附水的摩尔数约为0.18mol.铜掺杂显著改善了V2O5的结构稳定性，***厂家，进而提高了材料的充放电循环性能.于600℃制备的样品在C/5.6倍率下具有160mAh·g-1的可逆比容量，铜陵***，但提高放电倍率明显降低了材料的循环性能.于300℃制备的样品在C/5.6倍率时的循环性能不如600℃样品，但该材料在C/1.9倍率时仍具有100mAh·g-1左右的可逆比容量.两种材料在电化学性能上的差异与材料的微结构有关.低温样品在较高放电倍率时良好的循环性能得益于其多孔的微结构，而高温样品由于其较高的结晶度而表现出优异的低倍率充放电性能.
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