离子束刻蚀的原理是把惰性气体充入离子源放电室，并使其电离形成等离子体，显影设备，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面，撞击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，纯属物理过程。采用离子束对材料表面进行抛光，可使材料表面达到较小粗糙度。
清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，显影清洗机，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，显影，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用。
学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，显影腐蚀台，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
半导体器件有许多封装型式，从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代***，这些都是前人根据当时的组装技术和市场需求而研制的。总体说来，它大概有三次重大的革新：在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第二次是在上世纪90年代球型矩正封装的出现，它不但满足了市场高引脚的需求，而且大大地改善了半导体器件的性能；晶片级封装、系统封装、芯片级封装是现在第三次革新的产物，其目的就是将封装减到小
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