台湾真空镀膜工艺-半导体光刻-氮化硅真空镀膜工艺

真空镀膜工艺MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，氮化铝真空镀膜工艺，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，氮化硅真空镀膜工艺，以及行业应用技术开发。

3试验

3.1试验目的

①熟悉真空镀膜的操作过程和方法。

②了解磁控溅射镀膜的原理及方法。

③学会使用磁控溅射镀膜技术。

④研究不同工作气压对镀膜影响。

3.2试验设备

SAJ-500超高真空磁控溅射镀膜机(配有纯铜靶材) ;气瓶;陶瓷基片;擦镜纸。

3.3试验原理

3.3. 1磁控溅射沉积镀膜机理

磁控溅射系统是在基本的二极溅射系统发展而来，解决二极溅射镀膜速度比蒸镀慢很多、等离子体的离化率低和基片的热效应明显的问题。磁控溅射系统在阴极靶材的背后放置强力磁铁，真空室充入0.1~ 10Pa压力的惰性气体(Ar)，作为气体放电的载体。

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系统参数

工艺会受到很多参数的影响。其中，一些是可以在工艺运行期间改变和控制的;而另外一些则虽然是固定的，但是一般在工艺运行前可以在一定范围内进行控制。两个重要的固定参数是:靶结构和磁场。

2.2.1靶结构

每个单独的靶都具有其自身的内部结构和颗粒方向。由于内部结构的不同，两个看起来完全相同的靶材可能会出现迥然不同的溅射速率。在镀膜操作中，如果采用了新的或不同的靶，应当特别注意这一点。如果所有的靶材块在加工期间具有相似的结构，调节电源，根据需要提高或降低功率可以对它进行补偿。在一套 靶中，由于颗粒结构不同，也会产生不同的溅射速率。加工过程会造成靶材内部结构的差异，所以即使是相同合金成分的靶材也会存在溅射速率的差异。

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哪些溅射靶材可用于热反射镀膜

锡溅射靶材

锡是一种柔软、有延展性、延展性和高度结晶的银白色金属。当一根锡条被弯曲时，可以从晶体的孪晶中听到一种被称为“锡哭”的噼啪声。锡在约 232 ℃（450 ℉）的低温下熔化，是第i 14 组中低的。对于 11 nm 标准，熔点进一步降低至 177.3 ℃（351.1 ℉）。

硅溅射靶材

硅溅射靶材主要用于反应磁控溅射以沉积介电层，例如SiO2和SiN。作为的功能性薄膜材料，它们具有良好的硬度、光学、介电性能和耐磨性。硅靶材的耐蚀性在光学和微电子领域具有广阔的应用前景，目前在范围内被广泛用作功能材料。目前主要用于LCD透明导电玻璃、建筑LOW-E玻璃、微电子行业。硅溅射靶材可分为单晶和多晶两种。我们通过 Czochralski 晶体生长法生产平面硅溅射靶材。

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