山东真空镀膜实验室-半导体光刻-金属真空镀膜实验室

真空镀膜实验室MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，山东真空镀膜实验室，以及行业应用技术开发。

先来介绍一下，什么是磁控溅射镀膜机？百度百科上，关于磁控溅射镀膜机是这样解释的：磁控溅射镀膜机是一种用于材料科学领域的工艺试验仪器，是一种普适镀膜机，生物芯片真空镀膜实验室，目前主要用于实验室制备有机光电器件的金属电极及介电层，以及制备用于生长纳米材料的催化剂薄膜层。

这还要从这种机器的系统组成说起，磁控溅射镀膜机内部系统主要是由：真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、控制系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。

除此之外，标准的磁控溅射镀膜机，它的技术指标也是有一个固定值的，就像是磁控溅射镀膜机的真空部分，包括真空室系统溅射室、真空抽气及测量系统，对于这两部分来说，它们的极限真空度应该为：6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S。***真空的时间应该在：40分钟可达6.6×10 Pa（短时间暴露大气并充干燥氮气后开始抽气）。

不仅如此，除了技术指标之外，这些设备的尺寸指标也是有合格标准的。真空室的标准大小应该处于：圆形真空室，尺寸550× 450mm。样品台的标准尺寸应该是：尺寸为直径350mmX280mm，滚筒结构。包括磁控靶：有效溅射区为3英寸×3英寸，数量：4支，标准型永磁靶，1支，标准型强磁靶，钎焊间接水冷结构；靶直径Φ60㎜，靶内水冷。靶基距为50～90mm连续可调（手动），并有调位距离指示。

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可变参数

在溅射过程中，通过改变改变这些参数可以进行工艺的动态控制。这些可变参数包括:功率、速度、气体的种类和压强。

功率

每一个阴极都具有自己的电源。根据阴极的尺寸和系统设计，功率可以在0 ~ 150KW(标称值)之间变化。电源是一个恒流源。在功率控制模式下，功率固定同时监控电压，通过改变输出电流来维持恒定的功率。在电流控制模式下，磁控溅射真空镀膜实验室，固定并监控输出电流，这时可以调节电压。施加的功率越高，沉积速率就越大。

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真空镀膜冷水机的工作原理：

制冷循环采用逆卡若循环，该循环由两个等温过程和两个绝热过程组成；其过程如下：

（1）等温过程--液体吸热气化形成蒸汽的传热与液体汽化潜热的传递平衡关系式为 q=kt 式中 k--常数 ，称为亨利定律； t --时间 。

（2）绝热压缩过程--利用蒸气压缩来实现制冷循环的两个不同温度的中间介质的换热遵循可逆卡诺尔公式 c =-lg（r22+h22 ） 式中 r22 --中间介质的平均温度 （ °C ）， h22 --中间介质的温度 （°C ）。

当 r 22 -1 时称做阶段或低温区 ；当 r 22-2 时称做第二阶段或高温区；两者之差即代表该阶段的温差（或称焓值）；此温差的大小取决于两相物质的性质及其比容的变化情况而定。

（3）再加热的过程--把经过绝热的低温区的工质重新吸入到高温区内实现再加热的过程称为回热或逆卡若循环。

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