氧化硅真空镀膜公司-半导体光刻-青海氧化硅真空镀膜

氧化硅真空镀膜MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，氧化硅真空镀膜加工厂商，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

3.4.1准备过程

(1)动手操作前认真学习讲操作规程及有关资料，熟悉镀膜机和有关仪器的结构及功能、操作程序与注意事项，青海氧化硅真空镀膜，保证安全操作。

(2)清洗基片。用无水酒精清洗基片，使基片镀膜面清洁无脏污后用擦镜纸包好，放在干燥器内备用。

(3) 镀膜室的清理与准备。先向真空腔内充气一段时间，然后升钟罩，装好基片，清理镀膜室，降下钟罩。

3.4. 2试验主要流程

(1)打开总电源，启动总控电，升降机上升，真空腔打开后，放入需要的基片，确定基片位置(A、B、C、D)确定靶位置(1、 2、3、4，其中4为清洗靶)

(2)基片和靶准备好后，升降机下降至真空腔密封(注意:关闭真空腔时用手扶着顶盖，以控制顶盖与强敌的相对位置，过程中注意安全，小心挤压到手指)

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那么电子束蒸发镀膜机，主要应用在哪些领域呢？电子束蒸发镀膜机，因其高沉积速率和高材料利用效率而被广发应用于例如航空航天领域、汽车行业、激光科学，我们常见的太阳能电池板、建筑玻璃，主要是赋予这些所需的导电、反射和透射的特性。另外，还有一些，行业或产品，对材料的耐高温、耐磨性有很高的要求和标准，这些都需要电子束蒸发镀膜。

另外，比较被常被问到的一个问题就是，电子束蒸发镀膜和热蒸发相比，有哪些优势呢？

二者主要的区别，也是本质的区别是工作原理不同。上面我们提到了，电子束热蒸发镀膜的工作原理是使用电子束轰击材料源，产生高能热量，使材料蒸发，而热蒸发，顾名思义是通过加热来完成这一工作流程的。

首先电子束蒸发源尺寸多样，还可以分为单腔或者多腔。因为其加热温度高，可允许高温材料和难熔金属的非常高的沉积速率和蒸发。其次，电子束蒸发镀膜可以控制污染，甚至可以说，由于能够严格限制原材料占据区域，从而可以消除相邻组件间的不必要污染。而且电子束蒸发相比热蒸发，可以沉积更薄、更高纯度的薄膜。

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(7)流量计I置于阀控档(看是否有读数，一般为30。否则查明原因)，调节控制电离真空计示数约1Pa，氧化硅真空镀膜公司，调节直流或射频电源到所需功率，开始镀膜。

(8)镀膜过程中注意设备工作状态，若工艺参数有异常变化应及时纠正或停止镀膜，问题解决后方可重新镀膜。

(9)镀膜完毕后，关闭直流或射频电源，关闭气阀门。将挡板逆时针旋至通路。当气罐流量变为零后，关闭流量计I，继续抽半个小时到两个小时。

(10)关闭流量显示仪和电离真空计，停止分子泵，频率降至100HZ后关闭机械泵，5分钟后关闭分子泵，关闭总电源。

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