半导体加工-MEMS材料刻蚀加工厂-云南MEMS材料刻蚀

氮化***材料刻蚀加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，MEMS材料刻蚀加工厂，以及行业应用技术开发。

 原位芯片目前掌握多种刻蚀工艺，并会根据客户的需求，设计刻蚀效果好且性o价比高的刻蚀解决方案。

 双等离子体源刻蚀机加装有两个射频（RF）功率源，能够更精i确地控制离子密度与离子能量。位于上部的射频功率源通过电感线圈将能量传递给等离子体从而增加离子密度，但是离子浓度增加的同时离子能量也随之增加。下部加装的偏置射频电源通过电容结构能够降低轰击在硅表面离子的能量而不影响离子浓度，从而能够更好地控制刻蚀速率与选择比。原子层刻蚀（ALE）为下一代刻蚀工艺技术，能够精i确去除材料而不影响其他部分。随着结构尺寸的不断缩小，反应离子刻蚀面临刻蚀速率差异与下层材料损伤等问题。原子层刻蚀（ALE）能够精密控制被去除材料量而不影响其他部分，可以用于定向刻蚀或生成光滑表面，是刻蚀技术研究的热点之一。目前原子层刻蚀在芯片制造领域并没有取代传统的等离子刻蚀工艺，而是被用于原子级目标材料精密去除过程。

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精密蚀刻加工的适用材料：

　　1、大多数金属都适用于光蚀刻处理，常用的金属属材料有不锈钢、铝、铜、镍、钼、钨、钛等。

　　2、陶瓷适用于蚀刻表面处理。

　　3、半导体芯片可采用精密蚀刻加工产出封装盖板。

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它一般有下述特点：

(1)膜材料比相应的体材料更容易刻蚀。因此，必须用稀释的刻蚀剂，以便控制刻蚀速率。

(2)受照射的膜一般将被迅速刻蚀。这种情况，包括离子注入的膜，电子束蒸发生成的膜，MEMS材料刻蚀加工工厂，甚至前工序中曾在电子束蒸发环境中受照射的膜。而某些光刻胶受照射则属于例外，因为这是由于聚合作用而变得更难刻蚀的缘故。负性胶就是一例。

(3)内应力大的膜将迅速被刻蚀。膜的应力通常由沉积温度、沉积技术和基片温度所控制。

(4)微观结构差的薄膜，包括多孔膜和疏松结构的膜，将被迅速刻蚀。这样的膜，常可以通过高于生长温度的热处理使其致密化。

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