硅真空镀膜MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
系统参数
工艺会受到很多参数的影响。其中，一些是可以在工艺运行期间改变和控制的;而另外一些则虽然是固定的，但是一般在工艺运行前可以在一定范围内进行控制。两个重要的固定参数是:靶结构和磁场。
2.2.1靶结构
每个单独的靶都具有其自身的内部结构和颗粒方向。由于内部结构的不同，两个看起来完全相同的靶材可能会出现迥然不同的溅射速率。在镀膜操作中，如果采用了新的或不同的靶，应当特别注意这一点。如果所有的靶材块在加工期间具有相似的结构，调节电源，根据需要提高或降低功率可以对它进行补偿。在一套 靶中，由于颗粒结构不同，也会产生不同的溅射速率。加工过程会造成靶材内部结构的差异，所以即使是相同合金成分的靶材也会存在溅射速率的差异。
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溅射靶材作为一种大型的镀膜原料，其靶材的形状、纯度、密度、孔隙率、晶粒尺寸、结合质量等特性对薄膜质量和溅射率有很大影响。在这里，我们解释了溅射靶材的相对密度和间隙对大面积涂层的影响。
靶材相对密度对大面积镀膜的影响
靶材的相对密度是靶材的实际密度与理论密度之比。单组分靶的理论密度为晶体密度。合金或混合物靶材的理论密度由各组分的理论密度及其在合金或混合物中的比例计算得出。热喷涂的靶材结构疏松多孔，含氧量高（即使在真空喷涂中，也很难避免合金靶材中氧化物和氮化物的产生）。表面呈***，缺乏金属光泽。吸附的杂质和水分是主要污染源，阻碍了高真空的快速获得，在溅射过程中迅速导致放电，甚至烧毁靶材。
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3.4.1准备过程
(1)动手操作前认真学习讲操作规程及有关资料，熟悉镀膜机和有关仪器的结构及功能、操作程序与注意事项，保证安全操作。
(2)清洗基片。用无水酒精清洗基片，使基片镀膜面清洁无脏污后用擦镜纸包好，放在干燥器内备用。
(3) 镀膜室的清理与准备。先向真空腔内充气一段时间，然后升钟罩，装好基片，硅真空镀膜厂商，清理镀膜室，四川硅真空镀膜，降下钟罩。
3.4. 2试验主要流程
(1)打开总电源，启动总控电，升降机上升，真空腔打开后，放入需要的基片，确定基片位置(A、B、C、D)确定靶位置(1、 2、3、4，其中4为清洗靶)
(2)基片和靶准备好后，升降机下降至真空腔密封(注意:关闭真空腔时用手扶着顶盖，以控制顶盖与强敌的相对位置，过程中注意安全，小心挤压到手指)
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