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半导体氧化设备具有可密封容器(或氧化室)，将具有内置加热器的加热台设置于这一氧化室的室内部。在加热台上设置衬底支座， 在衬底支座上放置半导体样品(或半导体衬底)。氧化室还设有用于向室内部提供包括蒸汽的氧化气氛的输入管和在氧化过程结束后用于排出室内部 中的氧化气氛的排出管。根据具有这样的结构的半导体氧化设备，有可能以相对高的复现性使半导体样品均勻氧化。
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