微流控真空镀膜技术-甘肃真空镀膜技术-半导体材料

真空镀膜技术MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

溅射靶材均匀性对大面积镀膜的影响

对于合金溅射靶材来说，往往存在材料分布不均的情况。如***靶材中铝团聚，锌铝靶材中铝偏析（铝的原子质量比锌的原子质量65少27。铝在浇注后冷却过程中会上浮，导致铝含量一侧高另一侧低）。由于熔点低，***靶中的团聚铝在溅射成膜时很容易掉渣，而在喷涂过程中加入的铝量是一定的。一部分铝团聚表明其他位置的铝含量较少，低压气相沉积真空镀膜技术，影响了硅靶的热导率和电导率。所以溅射速率不一致，成膜均匀性差，靶材，靶材放电加剧。它还降低了成膜质量。靶材成分的偏析会影响溅射速率（薄膜均匀性）和薄膜成分。因此，除了控制靶材的纯度外，合金靶材的分布也很关键。

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3试验

3.1试验目的

①熟悉真空镀膜的操作过程和方法。

②了解磁控溅射镀膜的原理及方法。

③学会使用磁控溅射镀膜技术。

④研究不同工作气压对镀膜影响。

3.2试验设备

SAJ-500超高真空磁控溅射镀膜机(配有纯铜靶材) ;气瓶;陶瓷基片;擦镜纸。

3.3试验原理

3.3. 1磁控溅射沉积镀膜机理

磁控溅射系统是在基本的二极溅射系统发展而来，解决二极溅射镀膜速度比蒸镀慢很多、等离子体的离化率低和基片的热效应明显的问题。磁控溅射系统在阴极靶材的背后放置强力磁铁，真空室充入0.1~ 10Pa压力的惰性气体(Ar)，作为气体放电的载体。

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3.4.1准备过程

(1)动手操作前认真学习讲操作规程及有关资料，熟悉镀膜机和有关仪器的结构及功能、操作程序与注意事项，保证安全操作。

(2)清洗基片。用无水酒精清洗基片，使基片镀膜面清洁无脏污后用擦镜纸包好，微流控真空镀膜技术，放在干燥器内备用。

(3) 镀膜室的清理与准备。先向真空腔内充气一段时间，然后升钟罩，装好基片，清理镀膜室，降下钟罩。

3.4. 2试验主要流程

(1)打开总电源，PECVD真空镀膜技术，启动总控电，升降机上升，真空腔打开后，放入需要的基片，确定基片位置(A、B、C、D)确定靶位置(1、 2、3、4，其中4为清洗靶)

(2)基片和靶准备好后，升降机下降至真空腔密封(注意:关闭真空腔时用手扶着顶盖，以控制顶盖与强敌的相对位置，过程中注意安全，小心挤压到手指)

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