在现有的清洗技术中通过使用兆声清洗来提高清洗产品的质量，由于硅片的生产的相关要求，其兆声的施加方式通常是使用装有超声波槽通过水的传导将兆声震动传导至清洗槽，但此流程在现有技术中存在一定的问题，由于不同的清洗槽在进行清洗处理时均处于一个高于常温状态的温度(以边缘抛光后清洗的sc-1槽为例，清洗硅片时温度为78℃。
普通的清洗方法一般不能达到孔内,而孔内芯料的反应生成物及其他污染物会在后序工艺中会产生重复污染。无论是采用清洗液清洗都容易引入新的污染源,然而利用超声波清洗技术却可以实现无重复污染,而且能深入MCP孔内的效果。对不同材料及孔径的MCP应采用频率、声强可调的超声波进行实验,以确定实际工艺参数。对孔径6~12μmMCP的清洗,当媒液为水和乙醇时,可采用空化阈约1/3 W/cm2,声强10~20 W/cm2,频率20~120 kHz的超声波进行清洗。表1是同一段不同板号的MCP采用不同频率超声波清洗后表观及电性能测试结果。由检测结果可见,对1μm以下的小颗粒污染物,应选用频率40 kHz以上的超声波进行清洗。
从可见光探测向微光、红外、紫外、X射线探测的器件，其探测范围从γ射线至远红外甚至到亚毫米波段的广阔的光谱区域，其探测元从点探测到多点探测至两维成像器件，像元数越来越多，分辨本领越来越大。通过微光学机械电子技术的集成工艺，光电子器件的体积越来越小，集成度越来越高，各种新型固体成像器件不断被开发成功，在很多方面代替了传统的真空光电器件。
