车载逆变器产品的主要元器件参数及代换
HER306为3A、600V的快***整流二极管，其反向***时间Trr=100ns，可用HER307(3A、800V)或者HER308(3A、1000V)进行代换。对于150W以下功率的车载逆变器，其中的快***二极管HER306可以用BYV26C或者容易购买到的FR107进行代换。BYV26C为1A、600V的快***整流二极管，其反向***时间Trr=30ns；FR107为1A、1000V的快***整流二极管，其反向***时间= 100ns。从器件的反向***时间这一参数指标考虑，代换时选用BYV26C更为合适些。
TL494CN、KA7500C为PWM控制芯片。对目前市场上的各种车载逆变器产品进行剖析可以发现，有的车载逆变器产品中使用了两只TL494CN芯片，有的是使用了两只KA7500C芯片，还有的是两种芯片各使用了一只，更为离奇的是，有的产品中居然故弄玄虚，将其中的一只TL494CN或者KA7500C芯片的标识进行了打磨，然后标上各种古怪的芯片型号，让维修人员倍感困惑。实际上只要对照芯片的外围电路一看，就知道所用的芯片必定是TL494CN或者KA7500C。
多晶硅的技术特征
⑴多种生产工艺路线并存，产业化技术、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、***法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80%，短期内产业化技术垄断的局面不会改变。
⑵新一代低成本多晶硅工艺技术研究活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deiTIon）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，二手旧组件价格，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。
逆变器的理想设计
理想的逆变器，从直流变到交流的功率总是一定的值而没有脉动，直流电源波形和电流波形中也不应该产生脉动;而在实际的
逆变电路中，因为逆变器的脉动数等有限制，因而逆变功率P是脉动的。当逆变器的逆变功率p的脉动波形由直流电流来体现时，称之为电压型逆变器。电压型逆变 器的特点是:
1)直流侧有较大的直流滤波电容。
2)当负级功率因致变化时，交流输出电压的波形不变，即交流输出电压波形与负载无关。交流 输出电压的波形，通过逆变开关的动作被直流电源电容上的电压钳位成方波。
3)在逆变器中，与逆变开关并联有反馈二极管，所以交流电压与负载无关， 是方波。
4)输出电流的相位随负载功率因数的变化而变化，换向是在同桥臂开关管之间进行的。
5)可以通过控制输出电压的幅值和波形来控制 其输出电压。
