氧等离子体处理后的PDMS，其表面引入了亲水性质的-OH基团，疏水处理，并代替了-CH基团，从而使PDMS表面表现出极强的亲水性质。同样，由于硅基底通过处理，表面含有大量Si-O键，在氧等离子体处理的过程中，Si-O键被打断，从而在表面形成大量的si悬挂键，通过吸收空气中-OH，形成了Si-OH键。将处理后的PDMS与硅表面相贴合，两表面的Si-OH之间发生如下反应:2Si-OH⑧Si-O-Si+2H2O。在硅基底与PDMS之间形成了牢固的Si-O键结合，从而完成了二者间不可逆键合。
亲疏水处理的微观机理当硅片经清洗液处理后表面不沾水分子时称为疏水处理，疏水处理仪器，反之表面吸附水膜时为亲水处理。纯净的硅片表面是疏水性的。从能量观点看，疏水性表面属低能表面，这时硅片表面张力小于水分子表面张力。亲水性表面则属高能表这时的硅表面张力大于水分子表面张力即硅片表面必须由低能转化为高能表面。从(2)式可以看出:完成上述转化的条件为或者使上升，或者下降。由于清洗液大多为无机碱、酸的水溶液，知这时几乎不变。因此，的方法是改变，常见疏水处理，使之增加。
硅是地壳中含量仅次于氢和氧的元素，它通常以化合物的形态存在于大自然中。现代，以硅为主的半导体材料已经是微电子信息产业和太阳能光伏产业主要的基础功能材料，在国民经济和工业中占有很重要的地位。硅片作为芯片的片基，在进行电路集成之前要进行一系列的准备工作。硅片的亲疏水处理就属于前期准备范畴。表面的浸润性与许多物理化学过程，如吸附、润滑、粘合、分散和摩擦等密切相关。
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