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广东省科学院半导体研究所

普通会员4
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企业等级:普通会员
经营模式:生产加工
所在地区:广东 广州
联系卖家:曾经理
手机号码:15018420573
公司官网:www.micronanolab.com
企业地址:广州市天河区长兴路363号
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企业概况

广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,其前身是2010年10月在成立的广东半导体照明产业技术研究院。2015年6月经省政府批准,由原广东省科学院、广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院)、广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)、广东省石油化工研究院等研究院所整合重组新广......

微流控真空镀膜厂商-半导体研究所-四川真空镀膜厂商

产品编号:1000000000023684055                    更新时间:2023-03-30
价格: 来电议定
广东省科学院半导体研究所

广东省科学院半导体研究所

  • 主营业务:深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻
  • 公司官网:www.micronanolab.com
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产品详情





真空镀膜厂商MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。




1.1磁控溅射种类

磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点:利用磁场与电场交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,从而增大电子撞击气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。

1.1.1技术分类

磁控溅射在技术_上可以分为直流(DC)磁控溅射、中频(MF)磁控溅射、射频(RF)磁控溅射。


2磁控溅射工艺研究

2.1溅射变量

2.1.1电压和功率

在气体可以电离的压强范围内如果改变施加的电压,电路中等离子体的阻抗会随之改变,引起气体中的电流发生变化。改变气体中的电流可以产生更多或更少的离子,微流控真空镀膜厂商,这些离子碰撞靶体就可以控制溅射速率。






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距离与速度及附着力

为了得到的沉积速率并提高膜层的附着力,在保证不会***辉光放电自身的前提下,基片应当尽可能放置在离阴极近的地方。溅射粒子和气体分子(及离子)的平均自由程也会在其中发挥作用。当增加基片与阴极之间的距离,碰撞的几率也会增加,这样溅射粒子到达基片时所具有的能力就会减少。所以,为了得到的沉积速率和的附着力,基片必须尽可能地放置在靠近阴极的位置上。




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气体压强

将气体压强降低到某一点可以提高离子的平均自由程、进而使更多的离子具有足够的能量去撞击阴极以便将粒子轰击出来,也就是提高溅射速率。超过该点之后,由于参与碰撞的分子过少则会导致离化量减少,使得溅射速率发生下降。如果气压过低,等离子体就会熄灭同时溅射停止。提高气体压强可提高离化率,但是也就降低了溅射原子的平均自由程,这也可以降低溅射速率。能够得到沉积速率的气体压强范围非常狭窄。如果进行的是反应溅射,由于它会不断消耗,所以为了维持均匀的沉积速率,必须按照适当的速度补充新的反应镀渡。




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