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近日科技部高新司在***召开“十二五”期间863计划***支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。通过项目的实施，我国在第三代半导体关键的碳化硅和氮化材料、功率器件、封装以及可见光通信等领域取得突破。
中国开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平较低，阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始问题。随着***对第三代半导体材料的重视，近年来，碳化硅球供应，我国半导体材料市场发展迅速。其中以碳化硅与氮化为主的材料备受关注。我们认为，该项目取得的进展，显示出我国在半导体前沿材料的研究方面取得了突破进展，有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代建设上的重大需求。
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