偏钒酸铵***-鄂州***-芜湖人本合金偏***

不需要预先分离基体，采用荧光酮光度法直接测定了***中微量铝。考察了测定条件、表面活性剂的增敏作用、铁和基体钒对铝测定的干扰及干扰的消除方法。结果表明:以非离子表面活性剂吐温-80作为增敏剂显色反应的增敏效果好，采用酒石酸钠可以消除***中铁离子对铝的干扰。由于钒在显色体系中随着浓度的变化吸光度呈现出线性变化规律，所以对于钒基体的干扰，提出了用平面模拟方程进行校正。校正后铝的计算值与理论值吻合较好，高纯***，相对偏差在±2%以内，表明了方法是可行的。方法用于实际样品分析，铝的测定值与方法的测定值一致。方法所涉原理及计算都比较简单，这不仅适用于实验室，也同样适用于工业流程分析。

在以为溶剂、以V2O5/SiO2为催化剂、8-羟基喹啉为助剂的催化条件下，以水溶液为氧化剂，对催化氧化制备的催化反应体系进行了研究。考察了V2O5的负载量以及8-羟基喹啉的用量及反应温度对氧化反应的影响，发现适当的负载量有利于V2O5催化性能的提高。结果表明，当V2O5负载量(质量分数)为5%、催化剂的量和8-羟基喹啉的质量相等、反应温度为30℃时的转化率和的选择性较好。这源于V2O5高度分散于SiO2载体上，增大了活性组分V2O5的表面积，从而增加了其活性中心的个数及活性组分与反应物的接触面积，从而增加了催化活性。

用工业V2 O5为原料采用无机溶胶 -凝胶法制备V2 O5溶胶和凝胶 ，鄂州***，并用此胶体在不同衬底上制备出透明的半导体V2 O5薄膜。研究了胶体粘度对涂膜的影响 ，以及薄膜电阻率与温度、烘干处理和厚度的关系。用扫描电子显微镜 (SEM)研究了薄膜的微观形貌 ，用XRD研究了薄膜的成份及其变化。结果表明 :胶体粘度对涂膜有较大影响 ;温度、湿份、薄膜厚度对薄膜电阻率均有较大影响 ;V2 O5薄膜由针状V2 O5颗粒组成 ，在衬底上呈均匀分布 ，生产***，且结构比较密集 ，其颗粒径向尺寸为 0 .5～ 1.0 μm ，长度方向为 3 0～ 5 0 μm。烘干处理后颗粒轮廓略有模糊、结构稀疏且尺寸有所长大 ，同时新生成了一些钒化合物。