即硅片表面必须由低能转化为高能表面。从A=r（SG）- r（SL）＞0式可以看出:完成上述转化的条件为或者使r（SG）.上升，或者r（SL）下降。由于清洗液大多为无机碱、酸的水溶液，知这时r（SL）.几乎不变。因此，的方法是改变r（SG）， 使之增加。由于结构完整的纯净硅表面r（SG）是固定的，要改变其r（SG），只能改变其表面结构。实际上，硅片经过清洗液洗后，河北亲水处理，表面Si大部分以O键为终端结构，即表面非定形SiOx结构，利用其高r（SG）值达到硅表面吸附水分子的效果。亲水处理后，亲水处理方法，硅表面结构
亲疏水处理度对于GaAs/GaN键合界面透光性的影响
采用亲疏水两种不同的处理方法，在氮气保护、600℃热处理1h条件下，亲水处理目的，成功实现了GaN和GaAs异质材料的键合，两种处理方法均可满足器件对于键合强度及键合面积的要求.从亲疏水键合机理的不同出发，研究了两种处理方法对于界面透光性的影响，对键合样品进行了可见光透射谱测试，实验结果表明疏水键合界面对于垂直入射的630nm的光可以获得高达94.7%的透过率，并将键合样品加工成器件进行电致发光(EL)谱测试，实验结果与透射谱测试结果一致.
等离子清洗设备的原理是在真空状态下，压力越来越小，分子间间距越来越大，分子间力越来越小，利用射频电源产生的高压交变电场将氧、、氢等工艺气体震荡成具有高反应活性或高能量的离子，然后与有机污染物及微颗粒污染物反应或碰撞形成挥发性物质，涂层亲水处理，然后由工作气体流及真空泵将这些挥发性物质清除出去，从而达到表面清洁活化的目的。是清洗方法中为的剥离式清洗，其大优势在于清洗后无废液，大特点是对金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料等都能很好地处理，可实现整体和局部以及复杂结构的清洗
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