重庆真空镀膜加工厂-半导体镀膜-氮化硅真空镀膜加工厂

真空镀膜加工厂MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

同样，靶材块的晶体结构、颗粒结构、硬度、应力以及杂质等参数也会影响到溅射速率，而这些则可能会在产品上形成条状的缺陷。这也需要在镀膜期间加以注意。不过，这种情况只有通过更换靶材才能得到解决。

靶材损耗区自身也会造成比较低下的溅射速率。这时候，透明电极真空镀膜加工厂，为了得到优良的膜层，必须重新调整功率或传动速度。因为速度对于产品是至关重要的，重庆真空镀膜加工厂，所以标准而且适当的调整方法是提高功率。

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传动速度

玻璃基片在阴极下的移动是通过传动来进行的。低传动速度使玻璃在阴极范围内经过的时间更长，这样就可以沉积出更厚的膜层。不过，氮化硅真空镀膜加工厂，为了保证膜层的均匀性，传动速度必须保持恒定。

镀膜区内一般的传动速度 范围为每分钟0 ~600英寸(大约为0~15.24米)之间。根据镀膜材料、功率、阴极的数量以及膜层的种类的不同，通常的运行范围是每分钟90 ~ 400 (大约为2.286~ 10.16米)英寸之间。

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系统参数

工艺会受到很多参数的影响。其中，一些是可以在工艺运行期间改变和控制的;而另外一些则虽然是固定的，但是一般在工艺运行前可以在一定范围内进行控制。两个重要的固定参数是:靶结构和磁场。

2.2.1靶结构

每个单独的靶都具有其自身的内部结构和颗粒方向。由于内部结构的不同，两个看起来完全相同的靶材可能会出现迥然不同的溅射速率。在镀膜操作中，如果采用了新的或不同的靶，应当特别注意这一点。如果所有的靶材块在加工期间具有相似的结构，调节电源，根据需要提高或降低功率可以对它进行补偿。在一套 靶中，由于颗粒结构不同，也会产生不同的溅射速率。加工过程会造成靶材内部结构的差异，所以即使是相同合金成分的靶材也会存在溅射速率的差异。

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