半导体光刻加工技术-天河半导体光刻加工-半导体光刻

微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，半导体光刻加工定制，以及行业应用技术开发。

显影液：正性光刻胶的显影液。正胶的显影液位碱性水溶液。

显影液：正性光刻胶的显影液。正胶的显影液位碱性水溶液。KOH和NaOH因为会带来可动离子污染（MIC，MovableIonContamination），所以在IC制造中一般不用。较普通的正胶显影液是四甲i基氢氧化铵（TMAH）（标准当量浓度为0.26，温度15～25C）。在I线光刻胶***中会生成羧酸，半导体光刻加工服务，TMAH显影液中的碱与酸中和使***的光刻胶溶解于显影液，而未***的光刻胶没有影响；在化学放大光刻胶（CAR，ChemicalAmplifiedResist）中包含的酚醛树脂以PHS形式存在。CAR中的PAG产生的酸会去除PHS中的保护基团（t-BOC），从而使PHS快速溶解于TMAH显影液中。

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光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。

掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。可以避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。但是同时引入了衍射效应，半导体光刻加工技术，降低了分辨率。1970后适用，但是其较大分辨率仅为2～4μm。

c、投影式***（ProjectionPrinting）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现***。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。投影式***分类：扫描投影***（ScanningProjectPrinting）。70年代末～80年代初，〉1μm工艺；

掩膜板1：1，全尺寸；步进重复投影***（Stepping-repeatingProjectPrinting或称作Stepper）。

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在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现***。

通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商较中心的技术。质量控制技术：由于用户对光刻胶的稳定性、一致性要求高，包括不同批次间的一致性，通常希望对感光灵敏度、膜厚的一致性保持在较高水平，因此，光刻胶生产商不仅仅要配臵齐全的测试仪器，还需要建立一套严格的QA体系以保证产品的质量稳定。原材料技术：光刻胶是一种经过严格设计的复杂、精密的配方产品，由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等不同性质的原料，通过不同的排列组合，经过复杂、精密的加工工艺而制成。因此，光刻胶原材料的品质对光刻胶的质量起着关键作用。对于半导体化学化学***的纯度，际半导体设备和材料***（SEMI）制定了国际统一标准，

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