叉指电极真空镀膜MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
PVD真空镀膜机和CVD镀膜机区别
薄膜沉积技术根据成膜机理的不同，主要分为物理、化学、外延三大工艺。物***相沉积镀膜设备，简称PVD真空镀膜机。化学气相沉积镀膜机，简称为CVD镀膜机。
薄膜沉积技术是半导体、光伏等行业发展的关键工艺。薄膜沉积技术是指将在真空下用各种方法获得的气相原子或分子在基体材料表面沉积以获得离层被膜的技术。它既适合于制备超硬、耐蚀、耐热、化的机械薄膜，叉指电极真空镀膜技术，又适合于制备磁记录，信息存储、光敏、热敏、超导、光电转换等功能薄膜；此外，还可用于制备装饰性镀膜。近20年来，薄膜沉积技术得到了飞速发展，现已被广泛应用于机械、电子、装饰等领域。
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磁控溅射真空镀膜的具体方法是在真空条件下电离惰性气体， 气体离子在电场的作用下 ， 轰击金属靶材使金属原子沉积到玻璃表面上。它是七十年代末期发展起来的一种***的工艺方法，膜层由多层金属或金属氧化层组成， 允许任意调节能量通过率、能量反射率， 具有良好的外观美学效果，叉指电极真空镀膜外协， 它克服了其它生产方法存在的一些缺点， 因而目前国际上广泛采用这一方法。磁控溅射是一种新型的高速、低温溅射镀膜方法， 它是在专门的真空设备中， 借助于高压直线溅射装置进行的。磁控溅射镀膜工艺的原理是: 将玻璃送入设有磁控阴极和溅射气体的真空室内，阴极加负电压，在真空室内辉光放电，产生等离子体。由于金属靶材带负电，等离子中带正电的气体离子被加速，并以相当于靶极位降U的能量冲击靶面，将金属靶的原子轰出来，使之沉淀在玻璃表面形成金属膜。
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距离与速度及附着力
为了得到的沉积速率并提高膜层的附着力，在保证不会***辉光放电自身的前提下，基片应当尽可能放置在离阴极近的地方。溅射粒子和气体分子(及离子)的平均自由程也会在其中发挥作用。当增加基片与阴极之间的距离，广州叉指电极真空镀膜，碰撞的几率也会增加，叉指电极真空镀膜实验室，这样溅射粒子到达基片时所具有的能力就会减少。所以，为了得到的沉积速率和的附着力，基片必须尽可能地放置在靠近阴极的位置上。
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