硅的物理属性
物质状态 熔点 沸点 摩尔体积 汽化热 熔化热 蒸气压 声速
固态 1687 K（1414 °C） 3173 K（2900 °C） 12.06×10-6m3/mol 384.22 kJ/mol 50.55 kJ/mol 4.77 帕（1683K） 无数据
其他性质
电负性 比热 电导率 热导率 一电离能 第二电离能 第三电离能 第四电离能
1.90（鲍林标度） 700 J/(kg·K) 2.52×10-4 /(米欧姆) 148 W/(m·K) 786.5 kJ/mol 1577.1 kJ/mol 3231.6 kJ/mol 4355.5kJ/mol
第五电离能 第六电离能 第七电离能 第八电离能 第九电离能 第十电离能
16091 kJ/mol 19805 kJ/mol 23780 kJ/mol 29287 kJ/mol 33878 kJ/mol 38726 kJ/mol
硅的分布： 硅主要以化合物的形式，作为仅次于氧的丰富的元素存在于地壳中，约占地表岩石的四分之一，广泛存在于硅酸盐和硅石中。 制备 工业上，硅球地址，通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得。 化学反应方程式： SiO2 + 2C → Si + 2CO 这样制得的硅纯度为97~98%，硅球图片，叫做金属硅。再将它融化后重结晶，用酸除去杂质，硅球产品，得到纯度为99.7~99.8%的金属硅。
硅的电学性质：半导体材料的电学性质有两个十分突出的特点，德州硅球，一是导电性介于导体和绝缘体之间，其电阻率约在10-4～1010Ω·cm范围内；二是电导率和导电型号对杂质和外界因素(光、热、磁等)高度敏感。
无缺陷半导体的导电性很差，称为本征半导体。当掺入极微量的电活性杂质，其电导率将会显著增加，当硅中掺杂以施主杂质为主时，以电子导电为主，成为N型硅；当硅中掺杂以受主杂质为主时，以空穴导电为主，成为P型硅。硅中P型和N型之间的界面形成PN结，它是半导体器件的基本结构和工作基础。
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