用于升压级的开关和二极管
在旧有NPT平面技术?的基础上开发了一种可以提高高开关频率的升压电路效率的器件FGL40N120AND，二手旧发电板光伏板回收收购采购，具有43uJ/A的EOFF? ，比较采用更***技术器件的EOFF为80uJ/A，但要获得这种性能却非常困难。FGL40N120AND器件的缺点在于饱和压降VCE(SAT) (3.0V 相对于125oC的 2.1V) 较高，不过它在高升压开关频率下开关损耗很低的优点已足以弥补这一切。该器件还集成了反并联二极管。在正常升压工作下，该二极管不会导通。然而，在启动期间或瞬变情况下，升压电路有可能被驱使进入工作模式，这时该反并联二极管就会导通。由于IGBT本身没有固有的体二极管，故需要这种共封装的二极管来保证可靠的工作。对升压二极管，需要Stealth? 或碳硅二极管这样的快速***二极管。碳硅二极管具有很低的正向电压和损耗。不过目前它们的价格都很高昂。在选择升压二极管时，必须考虑到反向***电流 (或碳硅二极管的结电容) 对升压开关的影响，因为这会导致额外的损耗。在这里，新推出的Stealth II 二极管 FFP08S60S可以提供更高的性能。当VDD=390V、 ID=8A、di/dt=200A/us，且外壳温度为100oC时，计算得出的开关损耗低于FFP08S60S的参数205mJ。而采用ISL9R860P2 Stealth 二极管，这个值则达225mJ。故此举也提高了逆变器在高开关频率下的效率。
车载逆变器产品的主要元器件参数及代换
图1电路中的主要器件有驱动管SS8550、KSP44，MOS功率开关管IRFZ48N、IRF740A，快***整流二极管HER306以及PWM 控制芯片TL494CN (或KA7500C)。
SS8550为TO-92形式封装的PNP型三极管。其引脚电极的识别方法是，当面向三极管的印字标识面时，引脚1为发射极E、2为基极B、3为集电极C。
SS8550的主要参数指标为：BVCBO=-40V，BVCEO=-25V，VCE(S)=-0.28V， VBE(ON)=-0.66V ，fT=200MHz，ICM=1.5A，PCM=1W，TJ= 150℃ ，hFE=85～160(B)、120～200(C)、160～300(D)。
与TO-92形式封装的SS8550相对应的表贴器件型号为S8550LT1，其封装形式为SOT-23。
SS8550为目前市场上较为常见、易购的三极管，价格也比较便宜，单只售价仅0.3元左右。
KSP44为TO-92形式封装的NPN型三极管。其引脚电极的识别方法是，当面向三极管的印字标识面时，其引脚1为发射极E、2为基极B、3为集电极C。
KSP44的主要参数指标为：BVCBO=500V ，BVCEO=400V，VCE(S)=0.5V ，VBE(ON)=0.75V ，ICM=300mA ，PCM=0.625W ，TJ=150℃，hFE=40～200。
超高速沟道IGBT也提供方形反向偏压工作区、高175℃结温，还可承受4倍的额定电流。为了要显示它们的耐用性，这些功率器件也经过100%钳位电感负载测试。
与高侧不同，通态耗损支配了低侧IGBT。因为低侧晶体管的工作频率只有60Hz，开关损耗对这些器件来说微不足道。标准速度平面IGBT是特别为低频率和较低通态耗损而设计。所以，随着低侧器件于60Hz进行开关，这些IGBT要通过采用标准速度平面IGBT来达到的低功率耗损水平。因为这些器件的开关损耗非常少，标准速度平面IGBT的总耗散并没有受到其开关耗损所影响。基于这些考虑，标准速度IGBT IRG4BC20SD因此成为低功率器件的选择。一个第四代IGBT与超高速软***反向并联二极管协同封装，并且为低饱和电压和低工作频率(<1kHz)进行优化。在10A下的典型Vce(on)为1.4V。针对低正向降及反向漏电流，跨越低侧IGBT的协同封装二极管已经优化了，以在续流和反向***期间把损耗降到低。
