必须保护光伏或其它任一种分布式发电系统免受孤岛现象的损害，主要原因如下：
（1） 电网无法控制孤岛的电压和频率，从而有可能在电网无法控制的情况下损坏客户端设备。
（2） 公用设施以及分布式光伏能源的所有者需要对连至其电网的客户设备的电气损坏负责。
(3）孤岛可能对电力系统员工或公众造成危害，因为它会使那些通常被认为已与所有励源断开的线路带电。
(4）孤岛重新并网后，可能会由于相移闭合导致线路重新跳闸、或损坏分布式能源产生设备或连接的其它设备。
（5）孤岛可能会干扰公共机构为***正常服务而手动或自动***电网的操作。
除了具有防范孤岛危害的功能外，逆变器还需要满足特定地区提出的各中具体安全条例和规范。
车载逆变器产品的主要元器件参数及代换
IRFZ48N为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。IRFZ48N的主要参数指标为：VDss=55V，ID=66A，Ptot=140W，TJ=175℃，***(ON)≤16mΩ 。
当IRFZ48N损坏无法买到时，回收太阳能光伏电池片价格，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N沟道增强型MOS开关管IRF3205进行代换。IRF3205的主要参数为VDss=55V，ID=110A，***(ON)≤8mΩ。其市场售价仅为每只3元左右。
IRF740A为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。
IRF740A的主要参数指标为：VDSS=400V ，ID=10A，Ptot=120W ，***(ON)≤550mΩ。
当IRF740A损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N 沟道增强型MOS 开关管IRF740B、IRF740或IRF730进行代换。IRF740、IRF740B的主要参数与IRF740A完全相同。IRF730的主要参数为VDSS=400V，合肥电池片价格，ID=5.5A，回收多晶硅单晶硅电池片价格，***(ON)≤1Ω。其中IRF730的参数虽然与IRF740系列的相比略差，但对于150W以下功率的逆变器来说，其参数指标已经是绰绰有余了。
单晶硅与多晶硅的区别
单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上纯净的物质了，回收测试不良电池片价格，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目
前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
