由于单个MOSFET可耗散的功率有限，因此选用了8路MOSFET并联的结构，对光伏组件的输出电流分流，并将8个MOSFET均匀固定在散热片上，避个MOSFET因功率过大而烧毁。对各个MOSFET分别采用上述的子控制电路，使得各MOSFET 工作状态大致相同，减小不同MOSFET工作温度差。后将8路差分放大的电流信号通过加法电路叠加成总电流信号，采用外围反馈电路使总电流信号与DAC模块给定的控制信号比较，同时将输出信号接入各MOSFET控制电路中，形成外围反馈控制。
硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。这使得硅片已广泛应用于航空航天、工业、农业和，甚至悄悄进入每一个家庭。
地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。由于硅元素是地壳中储量丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场（mas***arket）的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。
光伏组件PID效应是什么意思？提及光伏组件，必然要注意其两大效应，一个是热斑效应，一个是PID效应，那么，光伏PID效应是什么？
PID的英文全称是：PotenTIal Induced DegradaTIon，即电势诱导衰减。
2005年美国SunPower公司发现并提出PID效应，指组件长期在高电压工作，在盖板玻璃、封装材料、边框之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池片表面，使得电池片表面的钝化效果恶化，导致填充因子、短路电流、开路电压降低，使组件性能低于设计标准，但此衰减是可逆的。
也有研究发现并对PID效应作出解释：光伏组件在受到负偏压时，由漏电流阳极离子（一般为Na离子）流入电池片，降低电池的并联电阻。即，半导体内出现了杂质，这些杂质会形成电池内部的导电通道，降低了组件的电流输出。
