半导体加工-PECVD真空镀膜技术-天津PECVD真空镀膜

PECVD真空镀膜MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

而当工作气压过大时，沉积速率会减小，原因有如下两点:

(1)由于气体分子平均自由程减小，溅射原子的背反射和受气体分子散射的几率增大，而且这一影响已经超过了放电增强的影响。溅射原子经多次碰撞后会有部分逃离沉积区域，基片对溅射原子的收集效率就会减小，从而导致了沉积速率的降低。

(2) 随着Ar气分子的增多，PECVD真空镀膜技术，溅射原子与Ar气分子的碰撞次数大量增加，这导致溅射原子能量在碰撞过程中大大损失，致使粒子到达基片的数量减少，沉积速率下降。

3.6结论

通过试验，及对结果的分析可以得出如下结论:在其他参数不变的条件下，随着工作气压的增大，沉积增大后减小。在某一个工作气压下，PECVD真空镀膜加工，有一个对应的大沉积率。

虽然以上工作气压与沉积率的关系规律只是在纯铜靶材和陶瓷基片上得到的，但对其他不

同靶材与基片的镀膜工艺研究也具有一定的参考价值。

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磁控溅射技术一般可以分为两种，接下来我们一一的看一看。直流溅射法是其中之一，它能够做到溅射导体材料，但是对于一些非导体或者绝缘材料，会使得表面的电荷无法达到中和状态，甚至不能电离，也就无法做到连续放点电甚至无法放电，所以对于一些绝缘靶材或者一些导电性很差的非金属靶材，就必须使用射频溅射法。这是二者之间一个简单的区别。

溅射镀膜技术在真空状态下工作的时候，荷能粒子轰击靶表面，导致被轰击的粒子在基片上发生沉积。由于被溅射原子是飞溅出来的，而且是在与具有数十电子伏特能量的正离子，所以这种原子的能量要比一般的高，而且对提高沉积时的原子的扩散能力有很大促进作用，能够提高沉积***的致密程度，也使得制出的薄膜有很强的附着力，能够很好地附着在基片之上。

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气体环境

真空系统和工艺气体系统共同控制着气体环境。

首先，真空泵将室体抽到一个高真空(大约为10-torr)。然后，由工艺气体系统(包括压强和流量控制调节器)充入工艺气体，将气体压强降低到大约2X10-3torr。为了确保得到适当质量的同一膜层，工艺气体必须使用纯度为99.995%的高纯气体。在反应溅射中，在反应气体中混合少量的惰性气体(如)可以提高溅射速率。

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