晶淼半导体(图)-显影腐蚀机-盐城显影

清洗液的物理化学性质对清洗效果的影响

清洗液的静压力大时，显影清洗机，不容易产生空化，所以在密闭加压容器中进行超声清洗或处理时效果较差

清洗剂的选择要从两个方面来考虑：一方面要从污物的性质来选择化学作用效果好的清洗剂；另一方面要选择表面张力、蒸气压及粘度合适的清洗剂，因为这些特性与超声空化强弱有关。液体的表面张力大则不容易产生空化，但是当声强超过空化阈值时，空化泡崩溃释放的能量也大，有利于清洗；高蒸气压的液体会降低空化强度，而液体的粘滞度大也不容易产生空化，因此蒸气压高和粘度大的洁洗剂都不利于超声清洗。

此外，清洗液的温度和静压力都对清洗效果有影响，清洗液温度升高时空化核增加，对空化的产生有利，但是温度过高，气泡中的蒸气压增大，空化强度会降低，所以温度的选择要同时考虑对空化强度的影响，也耍考虑清洗液的化学清洗作用每一种液体都有一空化活跃的温度，水较适宜的温度是60-80℃，此时空化活跃。

主要清洗参数为:

1、材质:槽体为全不锈钢制作，耐酸耐碱，外形美观大方。

2、机型:可根据客户要求加工定制。

3、功率、频率:可调，盐城显影，采用超声波发生器，能量转换率高。

4、温控:常温0-110℃可调。

5、支架可根据要求和实际需要定制。

主要清洗参数为：1、材质：槽体为全不锈钢制作，耐酸耐碱，外形美观大方。2、机型：可根据客户要求加工定制。3、功率、频率：可调，采用超声波发生器，能量转换率高。4、温控：常温0-110℃可调。5、支架可根据要求和实际需要定制。

目前在 半导体清洗机湿式清洗制程中，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学***与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。至于脏污的来源，不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程工程师***自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生，以及制程反应产生物的结果，尤其是制程反应产生物一项，更成为制程污染主要来源，因此如何改善制程中所产生污染，便成为清洗制程中研究主要的课题。

过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，显影腐蚀机，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。以下本文即针对清洗设备与技术作一深入介绍，并分析清洗设备发展的关键机会及未来的发展趋势。