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广东省科学院半导体研究所

普通会员4
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企业等级:普通会员
经营模式:生产加工
所在地区:广东 广州
联系卖家:曾经理
手机号码:15018420573
公司官网:www.micronanolab.com
企业地址:广州市天河区长兴路363号
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广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,其前身是2010年10月在成立的广东半导体照明产业技术研究院。2015年6月经省政府批准,由原广东省科学院、广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院)、广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)、广东省石油化工研究院等研究院所整合重组新广......

陕西氧化硅材料刻蚀-半导体加工-氧化硅材料刻蚀加工平台

产品编号:1000000000024414618                    更新时间:2023-04-28
价格: 来电议定
广东省科学院半导体研究所

广东省科学院半导体研究所

  • 主营业务:深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻
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氮化***材料刻蚀加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。

湿法刻蚀是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。

介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀,如二氧化硅。干法刻蚀优点是:各向异性好,选择比高,可控性、灵活性、重复性好,细线条操作安全,氧化硅材料刻蚀外协,易实现自动化,无化学废液,处理过程未引入污染,洁净度高。缺点是:成本高,设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程(如屏蔽式,下游式,桶式),纯物理过程(如离子铣),物理化学过程,常用的有反应离子刻蚀RIE,离子束辅助自由基刻蚀ICP等。干法刻蚀方式比较多,一般有:溅射与离子束铣蚀,等离子刻蚀,高压等离子刻蚀,陕西氧化硅材料刻蚀,高密度等离子体(HDP)刻蚀,反应离子刻蚀(RIE)。另外,化学机械抛光CMP,剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。





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氮化***材料刻蚀加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,氧化硅材料刻蚀加工厂商,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。


不锈钢蚀刻汽车喇叭网的网孔刺,蚀刻穿孔率高,声音受阻率低,音质传播更好,同时金属材质更显品质,时尚。通过表面处理可以制作多种颜色款式的汽车喇叭网,那么不锈钢蚀刻的汽车喇叭网都有可以做哪些表面处理呢,下面由专精蚀刻简单来介绍一下。


不锈钢蚀刻汽车喇叭网的表面处理方式比较多,常见的方式有喷漆、喷油、电镀、电泳、AF、 PVD、本色拉丝、喷砂等,其中PVD(真空电镀))表面处理后的颜色更耐看,不易老化。目前很多新能源汽车喇叭网选择采用PVD真空电镀的方式来对不锈钢材质的喇叭网进行表面处理。





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氮化***材料刻蚀加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。

刻蚀,它是半导体制造工艺,微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。

氮化硅的干法刻蚀S13N4在半导体工艺中主要用在两个地方。1、用做器件区的防止氧化保护层(厚约lOOnm)。2、作为器件的钝化保护层。在这两个地方刻蚀的图形尺寸都比较大,氧化硅材料刻蚀加工平台,非等向的刻蚀就不那么重要了。刻蚀Si3N4时下方通常是厚约25nm的Si02,为了避免对Si02层的刻蚀,Si3N4与S102之间必须有一定的刻蚀选择比。S13N4的刻蚀基本上与Si02和Si类似,常用CF4+0等离子体来刻蚀。但是Si-N键强度介于Si-Si与Si-0之间,因此使Si3N4对Si或Si02的刻蚀选择比均不好。在CF4的等离子体中,Si对Si3N4的选择比约为8,而Si3N4对Si02的选择比只有2—3,在这么低的刻蚀选择比下,刻蚀时间的控制就变得非常重要。除了CF4外,也有人改用兰氟化氮(NF3)的等离子体来刻蚀Si3N4,虽然刻蚀速率较慢,但可获得可以接受的Si3N4/Si02的刻蚀选择比。

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