逆变器的特点
1.转换效率很高、启动快；
2.安全性能好：产品具备短路、过载、过/欠电压、超温5种保护功能；
3.物理性能良好：产品采用全铝质外壳，散热性能好，表面硬氧化处理，耐摩擦性能好，并可抗一定外力的挤压或碰击；
4.带负载适应性与稳定性强 逆变器的结构 逆变器由逆变电路、逻辑控制电路、滤波电路三大部分组成，主要包括输入接口、电压启动回路、MOS开关管、PWM控制器、直流变换回路、反馈回路、LC振荡及输出回路、负载等部分，如下图所示。
沟道和平面IGBT
为了要同时把谐波和功率损耗降到低，逆变器的高侧IGBT利用了脉宽调制(PWM)，同时低侧功率器件就用60Hz进行变化。通过把PWM频率定在20kHz或以上操作，高侧IGBT有50/60Hz调制，输出电感器L1和L2便可以保持实际可行的较少尺寸，提供有效的谐波滤波。再者，逆变器的可听声也可以降到低，因为开关频率已经高于人类的听觉范围。
我们研究过采用不同IGBT组合的各种开关技术后，认定能够实现低功率耗损和高逆变器性能的组合，是高侧晶体管利用超高速沟道IGBT，电子芯片回收，而低侧部分就采用标准速度的平面器件。与快速和标准速度平面器件比较，开关频率在20kHz的超高速沟道IGBT提供低的总通态和开关功率损耗组合。高侧晶体管的开关频率为20kHz的另外一个优点，是输出电感器有合理的小尺寸，同时也容易进行滤波。在低侧方面，我们把标准速度平面IGBT的开关频率定在60Hz，使功率损耗可以保持在低的水平。
MCU软件设计
2.1 主要功能的实现方案
（1）蓄电池充电控制充电MOSFET的栅极由MCU的一个I／O口控制。当蓄电池电压低于直充阈值时，MCU跳过PCA，直接输出一个高电平信号打开充电MOSFET，使太阳板不间断地向蓄电池充电。蓄电池电压超过后，MCU接人PCA，改为PWM方式充电。充电的脉宽随着蓄电池电压的升高而逐渐变窄。达到充电上限后，再次跳过PCA，输出一个低电平，完全关断充电。
（2）直流输出控制直流输出MOSFET也由MCU的一个I／O口控制。蓄电池的电压低于欠压阈值时，MCU输出关断信号，停止放电。高于***阈值时，输出开启信号。
