原子层沉积是在一个加热反应器中的衬底上连续引入至少两种气相前驱体物种，化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。
目前可以沉积的材料包括：氧化物，氮化物，氟化物，金属，碳化物，复合结构，硫化物，纳米薄层等。 中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，真空镀膜，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，五金真空镀膜，微机电系统（MEMS）的反静态阻力涂层和疏水涂层的种子层，纳米晶体，ZnSe涂层，纳米结构，中空纳米碗，存储硅点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层。
可耐5000V且可随厚度增加而持续提高
绝缘性能不会受环境温度和湿度的影响；
Parylene 的介电常数和介电损耗均非常低且不受吸潮的影响；
Parylene 的高纯度、表面憎水性及不存在任何痕量的离子污染又保证了极高的体积电阻率和表面电阻率；
极低的高频损耗，特别适合超高频器件。
用环氧树脂材料进行电泳涂敷，但电泳涂敷时工件表面必须有一挂点，挂点的修补不仅费工费时，而且质量难以保证用。另外当绕线器件很小时，使用传统胶带做绝缘就很困难。用Parylene涂层能够有效此问题并具有大量生产降低成本的优势 。
真空涂层技术发展到了今天还出现了PCVD(物理化学气相沉积)、MI-CVD(中温化学气相沉积)等新技术，纳米真空镀膜，各种涂层设备、各种涂层工艺层出不穷。目前较为成熟的PVD方法主要有多弧镀与磁控溅射镀两种方式。多弧镀设备结构简单，容易操作。多弧镀的不足之处是，在用传统的DC电源做低温涂层条件下，真空镀膜涂料，当涂层厚度达到0.3μm时，沉积率与反射率接近，成膜变得非常困难。而且，薄膜表面开始变朦。多弧镀另一个不足之处是，由于金属是熔后蒸发，因此沉积颗粒较大，致密度低，耐磨性比磁控溅射法成膜差。可见，多弧镀膜与磁控溅射法镀膜各有优劣，为了尽可能地发挥它们各自的优越性，实现互补，将多弧技术与磁控技术合而为一的涂层机应运而生。在工艺上出现了多弧镀打底，然后利用磁控溅射法増厚涂层，后再利用多弧镀达到终稳定的表面涂层颜色的新方法。
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