法蚀刻仍被广泛地应用于当今集成电路制造领域，因其工艺可准确控制薄膜的去除量以及工艺过程中对原材料的损耗较低，在今后很长一段时间内其地位将无法被取代.随着工艺尺寸的不断缩小，器件可靠性变得越来越重要，但湿法蚀刻均匀性却逐渐成为提高器件可靠性的一个瓶颈.集成电路工艺技术正进一步向大尺寸晶圆和小尺寸单个器件的方向发展。
刻蚀工艺顺序位于镀膜和光刻之后。简单来说，刻蚀机的作用就好像是雕刻中的刻刀一样，利用光学-化学反应原理和化学、物理等刻蚀方法，将晶圆表面附着的不必要的材质进行去除，硅片清洗，留下的就是晶圆所需要的材质和附着在其上的光刻胶。然后再多次重复上述步骤，就可得到构造复杂的集成电路。
化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，硅片腐蚀台，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
刻蚀机作为重要的半导体加工设备之一，在半导体晶圆厂资本开支中占比较高。目前来看，刻蚀机资本开支占比达到22%，南通硅片，已经与光刻机同处在前梯队，而光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备三大设备合计占比高达64%。近年来刻蚀机市场规模有显著提升。湿法刻蚀由于可是方向的不可控性，导致其在高制程很容易降低线宽宽度，甚至***线路本身设计，导致生产芯片品质变差。
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