河北光刻技术服务-半导体材料-芯片光刻技术服务

MEMS光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

封获是VNE的伦的后一步，的微地加工企业也是可以胜任时装这个环节。对于先进的的装技术，大部分都是移动应用。对于商换设备、高精密度的封装，扇出型封装则当之无愧!然而，这就需要更先进的光刻设备满足需求。

微的如工获知，突破1lumn线表赛归间距泯制的扇出型封装技术具有里程排的捷义。扇出里技术可以实破1(pm的篮垒，河北光刻技术服务，协动助沙少数有需求的客户完成先进的时沃技术。房出型封装的关键部的分是在量布线层，玻璃光刻技术服务，RD是在晶因表面沉积金属层和介质层并形成福应的金属布线图形，来对芯片的)0顿口进行重新布局，将其布置到新的、节矩占位可更为宽松的区域。AO采用线宽和间距来度量，线宽和间距分别是指金属布战的宽度和它们之间的距商。

扇出型技术示可分成两粪、低密度和高密度。低密度赛出型封装由大于8umiine spce (8-.m)的RD组成。高密度病出型时装有多同D，CD在8-&um及以下，主要应用于服务器和智能手机。一般来说，5-5um是主流的高密度技术，1-1um及以下目前还在研发中。

成本是许多封装厂需要考期的因素。因为并非所有客产瞽帮需要高密度扇出型封装。执战性(非常小)CO的奥出技术相对昂贵，仅于高结客户。好消息是。除了商密度扇出型封装之外，还有其它大里低动本的封装技术可供选择。

欢迎来电咨询半导体研究所了解更多光刻技术服务

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光刻技术是一种将掩模板（Mask）上的图形转移到涂有光刻胶的晶圆片上的技术。光刻技术可以将半导体表面上特定的区域去除或者保留，从而构建半导体器件。

光刻步骤主要包括：

设计电路并制作掩模板。这一步一般是通用计算机辅助设计（CAD）软件完成的，在完成电路设计正确性检查（LVS）和设计规则检查（DRC）后，设计图形被转移到掩模板上。掩模板一般是由透明的超纯石英玻璃基片制成，在基片上，需要透光的地方保持透明，需要遮光的地方用金属遮挡。

涂光刻胶：使晶圆对光敏感。执行这一步骤时，会在晶圆表面均匀涂抹一层对光敏感的物质，光刻胶。光刻胶对光敏感，光照射后会产生化学变化，于是根据光照射与否，光刻胶也形成溶解和不可溶解的部分。

曝光。将光源发出的光线经过掩模板照射到晶圆片上时，掩模板上的图形也就被转移到了晶圆片上。根据掩模板上图形的不同，光刻胶会溶解形成对应图形。

显影与坚膜。用化学显影液溶解掉光刻胶中可溶解的区域，使可见的图形出现在晶圆片上。显影后再进行高温烘培，使剩余的光刻胶变硬并提高粘附力。

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这些氧化层在半导体器件中也有举足轻重的作用。比如说CMOS器件中的重要结构：MOS（金属-氧化物-半导体）结构中用于金属和半导体之间绝缘的“氧化物”层（或称栅氧），就是采用氧化工艺制备的。另外，用于隔离不同CMOS器件的厚层氧化物场氧（Field Oxide）、SOI器件中用于隔离衬底与器件的绝缘隔离层，都是采用氧化工艺实现的SiO2材料。

氧化工艺的实现方法有多种，硅片光刻技术服务，如热氧化、电化学阳极氧化等。其中常用的是热氧化法，即在高温（800～1200℃）下，利用纯氧或水蒸汽与硅反应生成SiO2层。热氧化法又分为干法和湿法：干法只使用纯氧，芯片光刻技术服务，形成较薄、质量较好的氧化层，但生长速度较慢。湿法使用纯氧和水蒸汽，形成较厚、密度较低的氧化层，但生长速度较快。不同类型和厚度的SiO2可以满足不同功能和要求。

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