清远爱发科进口泵***配件信息推荐-潽拓光电

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ARPES光束线客户案例:某光源ARPES光束线真空系统，真空系统是同步辐射光束线的重要组成部分，只有在真空环境中运行，光学元件才能够将同步辐射光传输到试验站，真空系统的作用就是获得并维持合理的真空度，保证光束线的稳定运行.此系统搭配爱发科分子泵80，及配套真空规.

真空系统要求(分子泵):

1.静态真空(无束流):5x10-8Pa，动态真空(有束流):

2.真空系统基本配置:离子泵+无油分子泵+冷阴极真空规管+气体分析仪超高真空系统配置:

涡轮分子泵

接口:DN100CF-F

极限真空:氮气压缩比:>1X1011涡轮分子泵80

接口:DN63CF-F

极限真空:氮气压缩比:>1X1011残余气体分析仪Pri***aPro

质量数:1-300amu

四极杆直径／长度:6/125mm

很大工作压力FhPa:5X10-4

涡轮分子泵抽速范围10至2700L/S，转速很高90，爱发科进口泵***配件，000rpm，极限真空很大1E-11mbar，对小分子气体具有更高的压缩比，实践证明涡轮分子泵运行时间可以达到100，000小时!分子泵提供复合轴承分子泵和五轴全磁浮分子泵二大系列满足不同应用，推荐搭配旋片泵和干泵共同使用.更多分子泵典型应用>>

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通用的沉积技术有化学气相淀积（CVD）、蒸发和溅射PVD。一般来说，其中还要夹杂低温（≤500℃）退火工艺等热处理工艺，用以增进金属层和半导体之间的低电阻接触、消除内应力等。设备运行过程中需要高洁净的真空环境，一般采用以磁悬浮分子泵为主的无油真空系统。

刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确地掩膜图形。现代化的干法刻蚀设备包括复杂的机械、电气和真空系统，同时配有自动化的刻蚀终点检测和控制装置。刻蚀应用工况复杂，清洁性差，充入特种气体种类繁多，因此需要特殊处理的干泵和磁悬浮分子泵。

离子注入设备：离子注入是指在真空环境下，当离子束射向固体材料时，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并很终停留在固体材料中的现象。离子注入是半导体表面附近区域进行掺杂的主要技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入机是集成电路制造工序中的关键设备，需要高清洁的真空环境，以保证离子掺杂浓度和剂量的准确性。

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给出不单独设置粗抽管道、不设置高真空阀门的涡轮分子泵抽气系统，这个系统的真空室是直接通过涡轮分子泵进行粗抽的。因为系统上没有粗抽管道，所以就不存在因粗抽管道而带来的污染和切换区域不适当等问题。从结构上看，系统也变得更简单了。它没有粗抽阀、管道和冷阱，也不需要高真空阀，只需要一个电离规和一个热传导规。

每当打开真空室暴露大气时，就必须把整个系统停机，而后再重新启动。这就使得液氮冷却表面使用起来不方便，因为每当系统停机时，必须将冷却表面升温。1-检漏接口阀；2-涡轮分子泵；3-放气阀；4-电离规；5-热传导规；6-真空管路阀；7-电磁放气阀；8-机械泵。图2  不用阀门的涡轮分子泵抽气系统同时，启动涡轮分子泵和机械泵，通过涡轮分子泵进行粗抽，必须正确选配前级机械泵。

如果机械泵的抽速小，它是不能在涡轮分子泵达到很大转速以前把真空室抽到过渡区的。当出现这种情况时，电动机的过流保护电路就会把涡轮分子泵关掉。抽速大小合适、运转适当的机械真空泵应该是在涡轮分子泵达到其额定转速的75%左右时就能把真空室抽到20~200Pa，这样也可防止机械泵油的返流。大多数涡轮分子泵所设计的启动加速时间为5~10min。

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