钼金属真空镀膜平台-半导体研究所-海南真空镀膜平台

真空镀膜平台MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

真空镀膜冷水机结构：

1、真空泵（进口）；

2、水箱、水泵；

3、冷却塔；

4、冷凝器；

5、压缩机；

6、过滤器；

7、膨胀阀；

8、压力表；

9、电控箱。

真空泵的作用是将压缩空气进行减压，然后送到水箱里。

水箱的作用是储存冷媒水，并起到散热作用。 水泵的作用是将冷媒水加压送入冷却塔中。 冷凝器的作用是使进入蒸发器的热交换气体降温，同时将制冷剂在蒸发器中的液化气放掉一部分。

膨胀阀的作用是当制冷系统出现故障时自动开启排气口，释放出系统中多余的压力和热量。

电控柜的功能是对整个系统的控制及保护功能。（包括对温度的控制、压力的监控、过电流的保护等等）。

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而当工作气压过大时，沉积速率会减小，原因有如下两点:

(1)由于气体分子平均自由程减小，海南真空镀膜平台，溅射原子的背反射和受气体分子散射的几率增大，而且这一影响已经超过了放电增强的影响。溅射原子经多次碰撞后会有部分逃离沉积区域，钼金属真空镀膜平台，基片对溅射原子的收集效率就会减小，从而导致了沉积速率的降低。

(2) 随着Ar气分子的增多，溅射原子与Ar气分子的碰撞次数大量增加，这导致溅射原子能量在碰撞过程中大大损失，氧化硅真空镀膜平台，致使粒子到达基片的数量减少，沉积速率下降。

3.6结论

通过试验，及对结果的分析可以得出如下结论:在其他参数不变的条件下，随着工作气压的增大，沉积增大后减小。在某一个工作气压下，有一个对应的大沉积率。

虽然以上工作气压与沉积率的关系规律只是在纯铜靶材和陶瓷基片上得到的，但对其他不

同靶材与基片的镀膜工艺研究也具有一定的参考价值。

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在这一章里，主要介绍沙子转变成晶体，以及晶圆和用于芯片制造级的抛光片的生产步

骤。

高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的晶圆，早使用的是1英寸(25mm)，而现在

300mm直径的晶圆已经投入生产线了。因为晶圆直径越大，单个芯片的生产成本就越低。

然而，直径越大，晶体结构上和电学性能的一致性就越难以保证，这正是对晶圆生产的一个

挑战。

·硅晶圆尺寸是在半导体生产过程中硅晶圆使用的直径值。硅晶圆尺寸越大越好，因为这样每块晶圆能生产更多的芯片。比如，同样使用0.13微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器，而使用300mm的晶圆可以制造大约427个处理器，300mm直径的晶圆的面积是200mm直径晶圆的2.25倍，出产的处理器个数却是后者的2.385倍，并且300mm晶圆实际的成本并不会比200mm晶圆来得高多少，因此这种成倍的生产率提高显然是所有芯.片生产商所喜欢的。

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