***厂家-人本合金-池州***

介绍了粉末压片-X-射线荧光光谱法测定***中V2O5，***厂家，Si，P，Fe，K2O，Na2O，S含量的分析方法。根据***样品中主次成分含量范围，用高纯***配制出具有成分含量梯度的并经其他方法定值的校准样品绘制校准曲线；以仪器提供的基体校正方法消除吸收与增应影响，用本文提出的“干扰增量法”测量与计算出重叠校正系数K，输入仪器自动校正，同时评估出干扰元素一定含量影响分析元素的净增含量。该方法与其他方法测定样品结果之间具有良好的一致性，同一试样的11次制片测定，各成分结果的相对标准偏差在0．073％-7．35％范围内。

利用浸渍法制备负载型V2O5/Na2SiO3催化剂，并通过XRD、IR、TG-DSC手段对催化剂进行了结构和热分析表征。在以Na2SiO3为载体的基础上，以V2O5为催化剂，通过改变V2O5的负载量，考查了不同负载量的V2O5催化剂对苯氧化为的催化性能的影响。实验结果表明，当V2O5的负载量为1%时，V2O5的催化性能好，池州***，这是由于V2O5高度分散于Na2SiO3载体上，增大了活性组分V2O5的表面积，从而增加了其活性中心个数及活性组分与反应物的接触面积，增加了其催化活性。

利用射频磁控溅射方法，选取溅射时间为15，25，***报价，30和45min，在蓝宝石衬底上沉积了V2O5薄膜。研究了其他实验参量不变，溅射时间不同对薄膜结构、薄膜厚度、表面形貌、电学及光学性能的影响。实验结果表明，制备出的薄膜为单一组分的V2O5薄膜，其在（001）面有明显的择优取向。随着溅身时间的增加，结晶性能逐渐变强，晶粒尺寸也逐渐变大，而表面粗糙度值会逐渐降低;在晶体结构完整的基础上，随着溅射时间的增加，相变温度和经历的温度范围会逐渐增加，***厂家制作，电学突变性能会降低。测试了薄膜在中红外波段的高低温透过率，结果显示：当膜厚为350nm，波长为5μm时，薄膜的透过率从25℃时的81%变为300℃的7%，变化幅度可达74%;所有薄膜相变前后透过率的比值均为9~13，表现出了非常突出的光学开关特性。