CENTRAL SEMICONDUCTOR BZV55***V3系列是高质量、高可靠性的硅齐纳二极管，适用于各类商业、工业、***、计算机和汽车应用。
性能特点
- 高质量材料：BZV55***V3系列采用高品质的硅材料制造，确保了二极管的稳定性和可靠性。
- 准确的电压控制：作为齐纳二极管，BZV55***V3系列能够在反向击穿时提供稳定的电压参考，适用于需要准确电压控制的应用。
- 高反向击穿电压：该系列二极管具有较高的反向击穿电压，能够承受较大的反向电压而不会损坏，从而保护电路中的其他元件。
- 低功耗：BZV55***V3系列二极管具有较低的功耗，有助于降低整体电路的能耗，提高能效。
技术参数
产地：美国
类型：齐纳（Zener）二极管
平均正向电流：250 mA
峰值重复正向电流：250 mA
功率耗散（TL=50°C）：500 mW
齐纳电压：4.085...4.515 V
测试电流：5.0 mA
齐纳阻抗（ZZT @ IZT）：max.90 Ω
齐纳阻抗（ZZK）：max.600 Ω
反向电流：3.0 μA
齐纳电流：116 mA
温度范围：-65°C至200°C
RoHS标准：是
元件材料：SILICON（硅）