聚焦离子束刻蚀机-创世威纳-聚焦离子束刻蚀机厂家

反应离子刻蚀的工作原理

通常情况下，聚焦离子束刻蚀机生产厂家，反应离子刻蚀机的整个真空壁接地，聚焦离子束刻蚀机厂家， 作为阳极， 阴极是功率电极， 阴极侧面的接地屏蔽罩可防止功率电极受到溅射。要腐蚀的基片放在功率电极上。腐蚀气体按照一定的工作压力和搭配比例充满整个反应室。对反应腔中的腐蚀气体， 加上大于气体击穿临界值的高频电场，聚焦离子束刻蚀机供应商， 在强电场作用下， 被高频电场加速的杂散电子与气体分子或原子进行随机碰撞， 当电子能量大到一定程度时， 随机碰撞变为非弹性碰撞， 产生二次电子发射， 它们又进一步与气体分子碰撞， 不断激发或电离气体分子。这种激烈碰撞引起电离和复合。当电子的产生和消失过程达到平衡时， 放电能继续不断地维持下去。由非弹性碰撞产生的离子、电子及及游离基(游离态的原子、分子或原子团) 也称为等离子体， 具有很强的化学活性， 可与被刻蚀样品表面的原子起化学反应， 形成挥发性物质， 达到腐蚀样品表层的目的。同时， 由于阴极附近的电场方向垂直于阴极表面， 高能离子在一定的工作压力下， 垂直地射向样品表面， 进行物理轰击， 使得反应离子刻蚀具有很好的各向异性 。

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刻蚀气体的选择

对于多晶硅栅电极的刻蚀，腐蚀气体可用Cl2或SF6，要求对其下层的栅氧化膜具有高的选择比。刻蚀单晶硅的腐蚀气体可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蚀SiO2的腐蚀气体可用CHF3或CF4/H2；刻蚀Si3N4的腐蚀气体可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蚀Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蚀气体可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蚀W的腐蚀气体可用SF6或CF4；刻蚀光刻胶的腐蚀气体可用氧气。对于石英材料，可选择气体种类较多，比如CF4、CF4 H2、CHF3 等。我们选用CHF3 气体作为石英的腐蚀气体。其反应过程可表示为：CHF3 e——CHF 2 F (游离基) 2e，聚焦离子束刻蚀机，SiO 2 4F SiF4 (气体) O 2 (气体)。SiO 2 分解出来的氧离子在高压下与CHF 2 基团反应， 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多种挥发性气体 [3] 。

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离子束刻蚀机的原理

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利用辉光放电原理将ya气分解为ya离子，ya离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用。把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面轰击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理刻蚀。