离子属刻蚀机的注意事项
创世威纳——***离子束刻蚀机供应商，我们为您带来以下信息。
#.在设备工作时，禁止扶、靠设备，禁止触摸高频电缆和线圈，以免发生意外
#.高频电源实际使用功率不能超过较大限制#.检查设备时，必须关机后切断电源
#. 工作场地必须保持清洁、干燥，设备上及设备周围不得放置无关物品，特别是易1燃、易1爆物品
#.长期停放时注意防潮，拆除电源进线，每隔3-5天开一次机，大样片离子束刻蚀机多少钱，保证反应室真空以免被污 染
#.设备停机、过夜也要保持反应室真空，如停机较长时间后再进行刻蚀工艺，大样片离子束刻蚀机原理，需***行一次空载刻蚀，大样片离子束刻蚀机安装，再刻蚀硅片
离子刻蚀简介
离子刻蚀是利用高能量惰性气体离子轰击被刻蚀物体的表面，达到溅射刻蚀的作用。因为采用这种方法，大样片离子束刻蚀机，所以可以得到非常小的特征尺寸和垂直的侧壁形貌。这是一种“通用”的刻蚀方式，可以在任何材料上形成图形。它的弱点是刻蚀速度较低，选择性比较差。传导耦合性等离子体刻蚀的优势在于刻蚀速率高、良好的物理形貌和通过对反应气体的选择，达到针对光刻胶和衬底的高选择比。一般用于对特征形貌没有要求的去胶(ashing，灰化)工艺。反应离子刻蚀是上述两种刻蚀方法相结合的产物，它是利用有化学反应性气体产生具有化学活性的基团和离子。经过电场加速的高能离子轰击被刻蚀材料，使表面受损，提高被刻蚀材料表面活性，加速与活性刻蚀反应基团的反应速度，从而获得较高的刻蚀速度。这种化学和物理反应的相互促进，使得反应离子刻蚀具有上述两种干法刻蚀所没有的优越性：良好的形貌控制能力(各向异性)、较高的选择比、可以接受的刻蚀速率。因此在于法刻蚀工艺中反应性离子刻蚀得到广泛应用。
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刻蚀
刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻***处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。
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